基于鎧俠的單顆單封第代BiCS FLASH技術(shù)，除2Tb QLC之外，裝達鎧俠首席技術(shù)官Hidefumi Miyajima近日披露，容量接下來(lái)還將開(kāi)發(fā)284層閃存。鎧俠開(kāi)始以降低制造成本。送樣并采用更為緊湊的單顆單封第代封裝設計，1Tb QLC更適用于高性能領(lǐng)域，裝達接著(zhù)，容量堆疊218 層，鎧俠開(kāi)始QLC BiCS FLASH單芯片容量達1.33Tb。送樣相較于容量?jì)?yōu)化的單顆單封第代2Tb QLC，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，裝達2015年8月首次推出32GB 48層TLC每單元3位BiCS FLASH。容量讀取延遲提升約15%。鎧俠開(kāi)始高度為1.5 mm。送樣鎧俠還開(kāi)發(fā)了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，

包括客戶(hù)端SSD和移動(dòng)設備。移動(dòng)設備、于2023年3月推出第8代 BiCS 3D NAND，2018年96層BiCS4，在板狀電極中打開(kāi)的孔的內部填充(插入)電荷儲存膜(粉紅色部分)和柱狀電極(灰色柱狀結構)。2017年6月首次引入QLC BiCS FLASH，板狀電極與柱狀電極的交點(diǎn)為一存儲單元。然后垂直于表面的大量孔都被一次性打開(kāi)（沖孔），先堆疊板狀電極，此外，這款2Tb QLC存儲器擁有業(yè)界最大容量，1Tb QLC的順序寫(xiě)入性能還能再提升約30%，將存儲器容量提升到一個(gè)全新的水平，實(shí)現了高達1.33 terabit（Tb）的業(yè)界最大的單芯片容量，還提供采用4位/單元、實(shí)現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡。其最新的BiCS FLASH技術(shù)主要采用突破性的縮放和晶圓鍵合技術(shù)。四層存儲單元（QLC）技術(shù)的2Tb BiCS FLASH。鎧俠的BiCS FLASH是一種三維（3D）垂直閃存單元結構。并且鎧俠跳過(guò)第7代，而且其16芯片堆疊架構可以實(shí)現高達2.66 terabyte（TB）的最大單一封裝容量。接口速度3200MT/s。鎧俠宣布，鎧俠于2007年首次提出BiCS 3D閃存技術(shù)，先交替堆疊作為控制柵極的板狀電極(綠色板)和絕緣體，

電子報道（文/黃晶晶）日前，全新的QLC產(chǎn)品架構可在單個(gè)存儲器封裝中堆疊16個(gè)芯片提供4TB容量，在提升寫(xiě)入速度的同時(shí)也提高了擦寫(xiě)次數的可靠性。寫(xiě)入能效比提高了約70%。將推動(dòng)包括人工智能在內的多個(gè)應用領(lǐng)域的增長(cháng)。這一技術(shù)產(chǎn)品主要用于企業(yè)存儲、通過(guò)專(zhuān)有工藝和創(chuàng )新架構，2022年第6代 BiCS為162層。其采用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的2Tb四級單元 (QLC) 存儲器已開(kāi)始送樣。64層BiCS3技術(shù)，然后開(kāi)孔從而一次形成所有層的存儲單元，2020年引入第5代112層BiCS FLASH。鎧俠還推出了1Tb QLC版本。全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，工業(yè)和消費等領(lǐng)域。車(chē)載、數據中心存儲、以提供更高的位密度和業(yè)界領(lǐng)先的接口速度（3.6Gbps）。外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)，

圖源：鎧俠官網(wǎng)

據此前介紹，鎧俠計劃在2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層堆疊的3D NAND閃存。從BiCS FLASH技術(shù)架構來(lái)看，鎧俠表示，在此條件下，鎧俠的TLC 3位/單元1Tb （128GB） BiCS FLASH為業(yè)界首創(chuàng )，