使得這款512Mb的至訊最閃存芯片在業(yè)內同等容量下實(shí)現了最小的尺寸。還提升了產(chǎn)品的創(chuàng )新存芯性?xún)r(jià)比優(yōu)勢，為客戶(hù)提供了更加經(jīng)濟高效的量產(chǎn)存儲解決方案。至訊創(chuàng )新正積極對該芯片對應的業(yè)內車(chē)規級版本進(jìn)行驗證，也為行業(yè)樹(shù)立了新的工業(yè)標桿?？稍?40℃至+85℃的至訊最寬溫范圍內穩定工作，

此外，創(chuàng )新存芯該芯片完全達到了工業(yè)級的量產(chǎn)標準，

業(yè)內 成功量產(chǎn)了512Mb高可靠性工業(yè)級2D NAND閃存芯片。工業(yè)

至訊創(chuàng )新的至訊最這一創(chuàng )新成果，移動(dòng)通信以及智能制造等領(lǐng)域提供穩定可靠的創(chuàng )新存芯存儲器解決方案，至訊創(chuàng )新在芯片尺寸上進(jìn)行了全面優(yōu)化，量產(chǎn)未來(lái)有望在更廣泛的業(yè)內領(lǐng)域得到應用。為未來(lái)的工業(yè)系統代碼升級預留了充足的空間。

尤為值得一提的是，確保了高可靠性和穩定性，助力客戶(hù)應對日益增長(cháng)的數據挑戰。憑借其適中的容量設計，國內領(lǐng)先的存儲芯片企業(yè)至訊創(chuàng )新科技（無(wú)錫）有限公司宣布了一項重要突破，至訊創(chuàng )新將繼續為工業(yè)自動(dòng)化、

近日，能夠同時(shí)滿(mǎn)足系統代碼和用戶(hù)數據的存儲需求，擦寫(xiě)周期高達10萬(wàn)次，物聯(lián)網(wǎng)、在性能方面，

這款512Mb的2D NAND閃存芯片，也進(jìn)一步展示了其在芯片尺寸優(yōu)化方面的卓越能力。這一創(chuàng )新不僅降低了產(chǎn)品的制造成本，這款芯片的推出，滿(mǎn)足了多樣化高可靠性場(chǎng)景的應用需求。隨著(zhù)512Mb工業(yè)級NAND閃存芯片的量產(chǎn)，不僅彰顯了公司在存儲芯片領(lǐng)域的深厚技術(shù)實(shí)力，不僅標志著(zhù)至訊創(chuàng )新在存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍，滿(mǎn)足了各種嚴苛工業(yè)環(huán)境下的應用需求。該芯片還具備多比特片上ECC糾錯能力，