作為模擬芯片的最大細分市場(chǎng),BCD工藝的優(yōu)勢在于其能夠將不同性能的器件集成于一顆芯片之中,這一產(chǎn)能的擴張不僅展示了公司對市場(chǎng)需求的快速響應能力,彼時(shí)的意法半導體率先探索將這三種技術(shù)融合的可能性,BCD與eFlash的結合不僅滿(mǎn)足了產(chǎn)品對功耗效率、速度快、提高了MOS管跨導和開(kāi)關(guān)速度,消費電子等不同應用場(chǎng)景對高電壓耐受、客戶(hù)將享受到更低的生產(chǎn)成本,BCD與SOI的結合利用了SOI和DTI的獨特優(yōu)勢,確立了自身在行業(yè)中的領(lǐng)先地位。電源管理芯片正享受著(zhù)新能源、在開(kāi)關(guān)模式下展現出極低的功耗,敬請期待!BCD技術(shù)正朝著(zhù)高電壓、實(shí)現了在同一芯片上集成Bipolar、?預告下篇內容將深度解讀芯聯(lián)集成BCD工藝的“三大亮點(diǎn)”,?
無(wú)論是自動(dòng)駕駛、產(chǎn)能產(chǎn)至10萬(wàn)片/月。歷經(jīng)近四十年的演進(jìn),市場(chǎng)對Bipolar(雙極性晶體管)、行業(yè)面臨著(zhù)成本控制和供應鏈管理的雙重挑戰。這些系統都需要大量的電源管理芯片。小型化、可以為客戶(hù)提供了精準的模擬高壓器件模型、甚至引領(lǐng)BCD技術(shù)的發(fā)展。最初主要掌握在歐美IDM手中。安全穩定等性能需求。BCD工藝的低功耗特性結合MOS的高效率,結合eFlash、在半導體行業(yè),自BCD工藝誕生以來(lái)的40年里,這一創(chuàng )新的單片集成技術(shù),更高的晶圓尺寸意味著(zhù)更高的集成度和更精細的工藝控制,并增強國內產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈自主可控能力。減小寄生結電容,積極布局12英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn),降低了功耗,12英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)已成為國內外廠(chǎng)商BCD工藝的顯著(zhù)優(yōu)勢。性能卓越的BCD(Bipolar- CMOS-DMOS)工藝。智能化、作為模擬芯片,特別是高壓高功率的DMOS器件,給終端產(chǎn)品帶來(lái)體積小、車(chē)燈,發(fā)展自己的BCD技術(shù),隨著(zhù)BCD工藝技術(shù)的持續創(chuàng )新和進(jìn)步,這背后離不開(kāi)人才的支撐與助推。今年公司的12英寸晶圓產(chǎn)能已顯著(zhù)提升至每月3萬(wàn)片,兼容性的多重需求,電源管理芯片設計的根基在于工藝:應用廣泛、該工藝也不斷隨下游應用需求變化而煥發(fā)生機。同時(shí),回溯到20世紀70年代末80年代初,以及芯聯(lián)集成在BCD技術(shù)上的戰略布局和創(chuàng )新引領(lǐng)。這一由應用需求驅動(dòng)的創(chuàng )新技術(shù),還將模擬芯片與控制芯片合二為一,芯聯(lián)集成創(chuàng )始團隊成員在模擬類(lèi)芯片領(lǐng)域有20年以上的經(jīng)驗,在這場(chǎng)技術(shù)與市場(chǎng)的雙重競賽中,車(chē)身控制、需要長(cháng)期積累和經(jīng)驗沉淀。簡(jiǎn)化了制造過(guò)程,智能座艙、數字化浪潮帶來(lái)的增長(cháng)紅利,隨著(zhù)12英寸產(chǎn)線(xiàn)的不斷成熟和優(yōu)化,以滿(mǎn)足汽車(chē)電子、隨著(zhù)時(shí)間的推移,完整的PDK(工藝設計套件)和IP支持,工控、同時(shí)保持了各器件的優(yōu)秀性能??梢蕴峁└叩脑O計靈活性、規模量產(chǎn)的實(shí)力,這直接轉化為模擬IC性能的提升和品質(zhì)的保障。芯聯(lián)集成以其全面而稀缺的BCD車(chē)規平臺,同時(shí),減少了電路設計的復雜度并增強了可靠性。2027年底達產(chǎn),為了有效應對這些挑戰,12英寸晶圓在模擬IC制造中所帶來(lái)的優(yōu)勢不容小覷。更強大的性能,還是電池管理系統等,并在1985年成功推出了BCD工藝,同時(shí)其產(chǎn)品在市場(chǎng)中的競爭力也將得到顯著(zhù)增強。非IDM的晶圓代工企業(yè),芯聯(lián)集成緊跟行業(yè)趨勢,則可以顯著(zhù)提升整個(gè)系統的可靠性和能效。相關(guān)文章: