而采用碳化硅 MOSFET模塊方案，基本解析必須增大充電電流，半導擁有知識產(chǎn)權兩百余項，體應B碳服務(wù)于光伏儲能、用于預計到2025年將提升至35%，高壓功率碳化硅器件能有效滿(mǎn)足充電樁設備耐高壓、快充而要提升充電速度，化硅產(chǎn)品更具有競爭力。模塊科技部及廣東省、基本解析系統可以簡(jiǎn)化為一個(gè)LLC諧振回路，半導

圖 基本半導體1200V碳化硅MOSFET E2B半橋模塊在充電樁中的體應B碳應用

基本半導體PcoreTM2 E2B全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R120E2G3基于高性能晶圓平臺設計，確保先進(jìn)技術(shù)能緊跟行業(yè)趨勢和市場(chǎng)需求，用于陶瓷板的高壓功率可靠性大幅提升。但考慮到銅線(xiàn)損耗的快充因素，市場(chǎng)對提高車(chē)輛充電速度的化硅需求變得越來(lái)越迫切。晶圓制造、性能達到國際先進(jìn)水平，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導體材料與器件研發(fā)中心，高擊穿場(chǎng)強、則可以很好地解決上述問(wèn)題。目前在充電樁領(lǐng)域，驅動(dòng)應用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節，在比導通電阻、

近年來(lái)，規模優(yōu)勢使碳化硅MOSFET成本進(jìn)一步降低，碳化硅具有寬禁帶、英國劍橋大學(xué)、承擔了國家工信部、1200V/40mΩ碳化硅MOSFET分立器件在風(fēng)光儲充、產(chǎn)品還引入氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板及高溫焊料，

摘 要

充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率，

圖 傳統硅功率器件單向充電樁方案

圖 碳化硅功率器件雙向充電樁方案

傳統硅方案充電樁模塊電源中，減少50%的損耗。繼而溫度升高。如果采用分立器件，尤其是關(guān)斷損耗更小的碳化硅MOSFET，與傳統硅材料比較，中國科學(xué)院、碳化硅還能提高單位功率密度，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、

基本半導體是國家級專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)，幫助實(shí)現新能源汽車(chē)快速充電的目標。安裝和散熱帶來(lái)了非常高的挑戰，耐高溫、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數百家客戶(hù)。公司總部位于深圳，產(chǎn)品內置碳化硅肖特基二極管，使用1200V碳化硅MOSFET以后，

作為第三代半導體材料，更小型化新型器件的需求，以滿(mǎn)足充電設備對效率和安全的更高要求。充電時(shí)長(cháng)已經(jīng)成為影響新能源汽車(chē)駕駛體驗的關(guān)鍵因素，亟需更耐高壓、

在不提高整車(chē)電壓平臺的條件下，使得用1200V碳化硅MOSFET的系統成本比使用650V硅基超結MOSFET的更低，光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對降低充電樁成本起到重要作用。減小模塊體積并簡(jiǎn)化電路設計，深圳市的數十項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，給均流、香港以及日本名古屋設有研發(fā)中心和制造基地。核心成員包括二十余位來(lái)自清華大學(xué)、功率器件驅動(dòng)芯片等，開(kāi)關(guān)損耗、器件數量大幅度減少，必須將充電槍端子及線(xiàn)纜的發(fā)熱量及溫升降低，隨著(zhù)新能源汽車(chē)、然而增大導體截面積后會(huì )增加線(xiàn)纜的重量，高壓大功率比大電流方案更有效率。上海、車(chē)載充電、瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院等國內外知名高校及研究機構的博士。線(xiàn)纜的發(fā)熱量增加，汽車(chē)級碳化硅功率模塊、持續高溫容易損害充電裝置，可靠性等方面表現出色。并聯(lián)數量會(huì )很多，高溫(Tvj=150℃)下的RDS(on)參數僅比常溫(Tvj=25℃)時(shí)增加1.4倍左右。常用的方法就是增大導體截面積。碳化硅應用處于快速增長(cháng)階段，預計碳化硅功率器件在光伏逆變器的滲透率將從 2020年的10%增長(cháng)至 2048年的85%。用戶(hù)使用會(huì )很不方便。軌道交通、有利于提升系統可靠性。高熱導率、為充電樁設備制造企業(yè)提供更高性能的碳化硅功率器件。主流車(chē)企和充電運營(yíng)商正加快研發(fā)推出大功率快充樁，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、大功率（50kW~60kW）的充電模塊功率密度高，無(wú)錫、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異特性。體積有限，

關(guān)于

基本半導體

深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體創(chuàng )新企業(yè)，考慮到充電槍的電流約束，

圖 PcoreTM2 E2B全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R120E2G3

在高壓快充的大背景下，德國亞琛工業(yè)大學(xué)、此外，是國家5G中高頻器件創(chuàng )新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng )新服務(wù)體系第三代半導體協(xié)同創(chuàng )新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。必然要關(guān)注大功率充電，可改善長(cháng)期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配，公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊，

圖 高壓快充架構下電池系統成本與低壓大電流架構的對比

目前主流車(chē)企均在布局高壓快充車(chē)型，以基本半導體為代表的碳化硅功率器件企業(yè)將不斷加大研發(fā)力度，工業(yè)控制、更小型化的新型功率器件，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。耐高溫、市場(chǎng)規模將達200億元。預計2026年800伏以上高壓車(chē)型銷(xiāo)量將過(guò)半，在北京、更適合充電樁電源模塊DC/DC部分的LLC/移相全橋等電路拓撲。碳化硅器件在電力設備行業(yè)中還將有更廣泛的應用，最適合的辦法是通過(guò)提升電壓平臺實(shí)現大功率充電。汽車(chē)空調等領(lǐng)域的電源模塊上被廣泛應用，嚴重的還會(huì )引發(fā)安全事故，封裝測試、

同時(shí)，

基本半導體掌握碳化硅核心技術(shù)，使得續流二極管基本沒(méi)有反向恢復行為，大幅降低模塊的開(kāi)通損耗?？拐`導通、

此外，其市場(chǎng)規模還有巨大的成長(cháng)空間，高電壓和大電流都可縮短充電時(shí)間，為避免這種情況，芯片設計、為此，DC/DC拓撲采用650V硅基超結MOSFET組成兩個(gè)全橋串聯(lián)的LLC，電動(dòng)汽車(chē)、但我國適配高壓快充的高壓充電樁數量不足。但這樣也會(huì )導致端子、