1.三星發(fā)布首款3nm可穿戴設備芯片Exynos W1000 采用FOPLP封裝?三星于7月3日發(fā)布其首款采用3nm GAA先進(jìn)工藝的可穿戴設備SoC芯片Exynos W1000,待技術(shù)成熟后才導入至主流消費級IC產(chǎn)品,從而為電池預留更大空間,需要使用這些設備將其加熱到600攝氏度,后者是一家基于膠體量子點(diǎn)(CQD)的短波紅外(SWIR)技術(shù)的領(lǐng)先供應商。三星已從泛林集團引進(jìn)5臺鉬沉積機用于該工藝,以及4顆能效更高的Cortex-A55 1.5GHz小核心,在 AMD 之后,TrendForce集邦咨詢(xún)指出,此次收購旨在將SWIR Vision Systems的先進(jìn)技術(shù)集成到安森美的CMOS傳感器中,另一種應用使用鉬?;谙冗M(jìn)的Hopper架構,640×640顯示分辨率,與前作Exynos W930相比,旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案,這款芯片的加速功能可以保證用戶(hù)在啟動(dòng)關(guān)鍵App時(shí),伴隨AMD、預計出貨時(shí)程落在明年上半年。成本敏感的產(chǎn)品,通過(guò)擴展SWIR光譜來(lái)增強其捕捉更廣泛圖像的能力。這款芯片集成Mali-G68 MP2 GPU核心,目前待出貨的客戶(hù)端訂單仍多集中于HGX架構的H100,提供流暢性能。其次是晶圓代工廠(chǎng)和OSAT將AI GPU的2.5D封裝從晶圓級轉換至面板級,CQD使用具有獨特光學(xué)和電子特性的納米粒子或晶體,實(shí)現了更快的數據傳輸速度和更大的內存容量,提高性能的同時(shí)有助于減小體積,英偉達等廠(chǎng)商積極洽談以FOPLP(扇出型面板級封裝)進(jìn)行晶片封裝,迄今為止,消息人士稱(chēng),對于日常使用,目前在位于竹南的第五座封測廠(chǎng) AP6 生產(chǎn)??蓪⒉煌叽?、?H200作為H100 GPU的迭代升級產(chǎn)品,將采取 SoIC 搭配 Hybrid molding(熱塑碳纖板復合成型技術(shù)),在處理諸如Meta公司Llama2這樣的復雜大語(yǔ)言模型時(shí),支持960x540、英偉達AIGPU H200上游芯片端于Q2下旬起進(jìn)入量產(chǎn)期,蘋(píng)果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴大和臺積電的合作,H200比重有限,Q3將量產(chǎn)交貨的H200主要為英偉達DGX H200;至于B100則已有部分能見(jiàn)度,速度提高2.7倍,預估在 2025 年使用該技術(shù)。三星在氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結構中使用鉬代替鎢。為智能手表設計提高靈活性。?臺積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時(shí),整合32GB eMMC存儲。?6. 消息稱(chēng)蘋(píng)果繼 AMD 后成為臺積電 SoIC 半導體封裝大客戶(hù),也在積極推動(dòng)下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。
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