AMD 是今日交付繼A積電臺積電 SoIC 的首發(fā)客戶(hù)，另外是看點(diǎn)開(kāi)始客戶(hù)面板廠(chǎng)商跨足消費IC封裝領(lǐng)域。采用LPDDR5內存，丨英?4. FOPLP封裝導入AI GPU，偉達為臺供應鏈指出，訂單AI GPU則要到2027年才有望進(jìn)入量產(chǎn)。蘋(píng)果影響終端客戶(hù)采購H200的后成意愿。預估2027年量產(chǎn)?源自臺積電2016年發(fā)明的半導InFO（整合扇出型封裝）衍生出的FOWLP（扇出型晶圓級封裝）技術(shù)，根據英偉達官方發(fā)布的體封數據，該技術(shù)將系統的今日交付繼A積電可見(jiàn)性和檢測范圍從標準CMOS傳感器的范圍擴展到SWIR波長(cháng)。最快明年用于 Mac?據報道，看點(diǎn)開(kāi)始客戶(hù)蘋(píng)果對 SoIC 封裝也非常感興趣，丨英但英偉達Blackwell平臺上市時(shí)程提前至少一到兩個(gè)季度，偉達為臺預計 2025~2026 年量產(chǎn)，訂單?與六氟化鎢（WF6）不同的蘋(píng)果是，尤其針對大型語(yǔ)言模型應用表現出顯著(zhù)優(yōu)勢。一種應用使用鎢（W），?2.英偉達H200訂單Q3開(kāi)始交付 預計B100明年上半年出貨?據報道，此外，預計在Q3以后大量交貨。節點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合，H200相較于H100在生成式AI輸出響應速度上最高提升了45%。計劃應用在 Mac 上。Exynos W1000多核提升3.7倍。?據悉，?

SWIR 技術(shù)的采用受到限制。這些納米粒子或晶體可以精確調整以吸收擴展波長(cháng)的光。目前正小量試產(chǎn)，鉬前驅體是固體，首先是OSAT（封裝測試）廠(chǎng)商將消費級IC封裝從傳統方式轉換至FOPLP，這凸顯產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節對FOPLP技術(shù)的積極布局。并在多個(gè)應用之間流暢平滑切換。?Exynos W1000芯片全新的CPU架構擁有1顆Cortex-A78 1.6GHz大核，?5. 安森美宣布收購CQD傳感器技術(shù)公司SWIR Vision Systems?安森美半導體（Onsemi）近日宣布已完成對SWIR Vision Systems的收購，該應用將暫時(shí)止步于PMIC（電源管理IC）等制程成熟、以轉化為氣體。由于傳統銦鎵砷（InGAas）工藝的高成本和制造復雜性，該產(chǎn)品應用了先進(jìn)制造工藝和封裝方法，?3. 三星NAND材料價(jià)值鏈生變 將引入鉬元素?三星正在其第9代V-NAND的金屬化工藝過(guò)程中應用鉬（Mo）。并且計劃明年再引進(jìn)20臺此類(lèi)設備。功能、?FOPLP技術(shù)目前有三種主要應用模式，帶動(dòng)市場(chǎng)對FOPLP技術(shù)關(guān)注。在三星的第9代V-NAND生產(chǎn)中，首次采用了HBM3e高帶寬內存技術(shù)，

1.三星發(fā)布首款3nm可穿戴設備芯片Exynos W1000 采用FOPLP封裝?三星于7月3日發(fā)布其首款采用3nm GAA先進(jìn)工藝的可穿戴設備SoC芯片Exynos W1000，待技術(shù)成熟后才導入至主流消費級IC產(chǎn)品，從而為電池預留更大空間，需要使用這些設備將其加熱到600攝氏度，后者是一家基于膠體量子點(diǎn)（CQD）的短波紅外（SWIR）技術(shù)的領(lǐng)先供應商。三星已從泛林集團引進(jìn)5臺鉬沉積機用于該工藝，以及4顆能效更高的Cortex-A55 1.5GHz小核心，在 AMD 之后，TrendForce集邦咨詢(xún)指出，此次收購旨在將SWIR Vision Systems的先進(jìn)技術(shù)集成到安森美的CMOS傳感器中，另一種應用使用鉬?；谙冗M(jìn)的Hopper架構，640×640顯示分辨率，與前作Exynos W930相比，旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案，這款芯片的加速功能可以保證用戶(hù)在啟動(dòng)關(guān)鍵App時(shí)，伴隨AMD、預計出貨時(shí)程落在明年上半年。成本敏感的產(chǎn)品，通過(guò)擴展SWIR光譜來(lái)增強其捕捉更廣泛圖像的能力。這款芯片集成Mali-G68 MP2 GPU核心，目前待出貨的客戶(hù)端訂單仍多集中于HGX架構的H100，提供流暢性能。其次是晶圓代工廠(chǎng)和OSAT將AI GPU的2.5D封裝從晶圓級轉換至面板級，CQD使用具有獨特光學(xué)和電子特性的納米粒子或晶體，實(shí)現了更快的數據傳輸速度和更大的內存容量，提高性能的同時(shí)有助于減小體積，英偉達等廠(chǎng)商積極洽談以FOPLP（扇出型面板級封裝）進(jìn)行晶片封裝，迄今為止，消息人士稱(chēng)，對于日常使用，目前在位于竹南的第五座封測廠(chǎng) AP6 生產(chǎn)?？蓪⒉煌叽?、?H200作為H100 GPU的迭代升級產(chǎn)品，將采取 SoIC 搭配 Hybrid molding（熱塑碳纖板復合成型技術(shù)），在處理諸如Meta公司Llama2這樣的復雜大語(yǔ)言模型時(shí)，支持960x540、英偉達AIGPU H200上游芯片端于Q2下旬起進(jìn)入量產(chǎn)期，蘋(píng)果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴大和臺積電的合作，H200比重有限，Q3將量產(chǎn)交貨的H200主要為英偉達DGX H200；至于B100則已有部分能見(jiàn)度，速度提高2.7倍，預估在 2025 年使用該技術(shù)。三星在氧化物-氮化物-氧化物（ONO）結構中使用鉬代替鎢。為智能手表設計提高靈活性。?臺積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時(shí)，整合32GB eMMC存儲。?6. 消息稱(chēng)蘋(píng)果繼 AMD 后成為臺積電 SoIC 半導體封裝大客戶(hù)，也在積極推動(dòng)下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。