Power Master Semiconductor推出了第二代 1200V eSiC MOSFET，導體第代以滿(mǎn)足直流電動(dòng)汽車(chē)充電站、推出太陽(yáng)能逆變器、導體第代儲能系統 (ESS)、推出電機驅動(dòng)器和工業(yè)電源等一系列應用對更高效率、導體第代高功率密度、推出強可靠性和耐用性的導體第代需求。

1200V eSiC MOSFET 為系統提供了顯著(zhù)的推出優(yōu)勢，包括功率密度增加、導體第代效率提高、推出冷卻要求降低(這是導體第代由于其功率損耗顯著(zhù)降低所致)。SiC MOSFET 越來(lái)越受歡迎，推出尤其是導體第代對于需要更高功率密度、效率和彈性的推出可再生能源系統和電動(dòng)汽車(chē)充電系統。

直流電動(dòng)汽車(chē)充電站是導體第代一種 3 級充電器，它通過(guò)模塊化結構提高其功率水平，以滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)更快充電時(shí)間和更大電池容量的需求。直流電動(dòng)汽車(chē)充電提供一致的電流輸出，涵蓋廣泛的直流輸出電壓(200V 至 900V)和負載曲線(xiàn)。

第二代 1200V eSiC MOSFET 的關(guān)鍵性能系數 (FOM) 比上一代提升了高達 30%，包括柵極電荷 (QG)、輸出電容儲能 (EOSS)、反向恢復電荷 (QRR) 和輸出電荷 (QOSS)。最新的 SiC MOSFET 技術(shù)對電源轉換應用具有顯著(zhù)優(yōu)勢，包括降低功率損耗，從而實(shí)現更小、更輕、更高效的系統，并且需要的冷卻更少。

1200V eSiC MOSFET Gen2 具有出色的開(kāi)關(guān)性能，并且已經(jīng)過(guò)全面的雪崩能力測試。通過(guò)顯著(zhù)降低米勒電容 (QGD)，最新版本的開(kāi)關(guān)損耗與前代產(chǎn)品相比顯著(zhù)降低了 44%。

新一代 1200V eSiC MOSFET 的問(wèn)世代表著(zhù)在創(chuàng )建環(huán)保高效電力系統方面取得了重大進(jìn)步。Power Master Semiconductor 對 1200V eSiC Gen2 MOSFET 將對高性能應用產(chǎn)生重大影響充滿(mǎn)信心。