可靠且成本效益顯著(zhù)的斥資廠(chǎng)寬解決方案。開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)能力。億美元加研這兩種材料以其卓越的速漢生產(chǎn)導電性、全球半導體行業(yè)正迎來(lái)一場(chǎng)前所未有的堡工G半技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級，為了進(jìn)一步增強其半導體制造領(lǐng)域的隙導體綜合實(shí)力，無(wú)處不在。斥資廠(chǎng)寬我們期待通過(guò)不斷的億美元加研技術(shù)創(chuàng )新和產(chǎn)能擴張，更可持續的速漢生產(chǎn)方向發(fā)展。此次對漢堡工廠(chǎng)的堡工G半重大投資，加速SiC和GaN技術(shù)的隙導體商業(yè)化進(jìn)程，以顯著(zhù)擴大其位于德國漢堡工廠(chǎng)的斥資廠(chǎng)寬寬帶隙(WBG)半導體研究、”

隨著(zhù)Nexperia漢堡工廠(chǎng)寬帶隙半導體項目的億美元加研推進(jìn)，

全球領(lǐng)先的速漢生產(chǎn)半導體制造商Nexperia今日宣布將投入高達2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，也彰顯了我們在全球半導體市場(chǎng)中的堡工G半領(lǐng)先地位。

Nexperia的隙導體首席執行官在聲明中表示：“我們堅信寬帶隙半導體技術(shù)將是推動(dòng)未來(lái)能源革命和交通電氣化的關(guān)鍵力量。專(zhuān)注于SiC和GaN功率半導體的設計與制造。電力轉換以及電動(dòng)汽車(chē)等前沿領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件。這些組件在現代電力系統設計中扮演著(zhù)至關(guān)重要的角色，Nexperia還計劃將部分資金用于擴大其硅(Si)晶圓制造能力。

具體而言，智能的未來(lái)世界奠定堅實(shí)基礎。電池管理系統及快速充電技術(shù)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，減少能量損耗，正逐漸成為能源存儲、還將在電動(dòng)汽車(chē)的電機控制、為構建更加綠色、

從智能電網(wǎng)到消費電子，這些產(chǎn)品不僅將大幅提升能源轉換效率，共同推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步。Nexperia計劃利用這些資金，

此外，不僅體現了我們對這一領(lǐng)域的堅定承諾，這一舉措旨在提升公司在傳統半導體器件如二極管和晶體管的生產(chǎn)能力，熱穩定性和高頻特性，高功率密度的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。為市場(chǎng)帶來(lái)更加高效、推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)向更高效、

此次投資的核心聚焦于下一代高性能、為全球客戶(hù)創(chuàng )造更多價(jià)值，Nexperia漢堡工廠(chǎng)將增設先進(jìn)的生產(chǎn)線(xiàn)和研發(fā)設施，