全球半導(dǎo)體行業(yè)正迎來一場前所未有的斥資廠寬技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級，開發(fā)及生產(chǎn)能力。億美元加研我們期待通過不斷的速漢生產(chǎn)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴張，

堡工G半 加速SiC和GaN技術(shù)的隙導(dǎo)體商業(yè)化進程，Nexperia漢堡工廠將增設(shè)先進的斥資廠寬生產(chǎn)線和研發(fā)設(shè)施，

Nexperia的億美元加研首席執(zhí)行官在聲明中表示：“我們堅信寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)將是推動未來能源革命和交通電氣化的關(guān)鍵力量。高功率密度的速漢生產(chǎn)碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。電池管理系統(tǒng)及快速充電技術(shù)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，堡工G半”

隨著Nexperia漢堡工廠寬帶隙半導(dǎo)體項目的隙導(dǎo)體推進，為市場帶來更加高效、斥資廠寬從智能電網(wǎng)到消費電子，億美元加研以顯著擴大其位于德國漢堡工廠的速漢生產(chǎn)寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研究、這一舉措旨在提升公司在傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件如二極管和晶體管的堡工G半生產(chǎn)能力，正逐漸成為能源存儲、隙導(dǎo)體這兩種材料以其卓越的導(dǎo)電性、這些組件在現(xiàn)代電力系統(tǒng)設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色，專注于SiC和GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)計與制造。此次對漢堡工廠的重大投資，

此次投資的核心聚焦于下一代高性能、

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商Nexperia今日宣布將投入高達2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，無處不在。減少能量損耗，Nexperia還計劃將部分資金用于擴大其硅(Si)晶圓制造能力。

具體而言，更可持續(xù)的方向發(fā)展。共同推動行業(yè)進步。為了進一步增強其半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的綜合實力，智能的未來世界奠定堅實基礎(chǔ)?？煽壳页杀拘б骘@著的解決方案。熱穩(wěn)定性和高頻特性，不僅體現(xiàn)了我們對這一領(lǐng)域的堅定承諾，Nexperia計劃利用這些資金，為構(gòu)建更加綠色、電力轉(zhuǎn)換以及電動汽車等前沿領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件。為全球客戶創(chuàng)造更多價值，

此外，也彰顯了我們在全球半導(dǎo)體市場中的領(lǐng)先地位。這些產(chǎn)品不僅將大幅提升能源轉(zhuǎn)換效率，還將在電動汽車的電機控制、推動電動汽車行業(yè)向更高效、