同時(shí)先采用臺(tái)積電的封裝SoIC將CPU、CoWoS技術(shù)通過(guò)將多個(gè)有源硅芯片（如邏輯芯片和HBM堆棧）集成在無(wú)源硅中介層上，技術(shù)這一技術(shù)不僅能夠提高芯片的升級(jí)性能和集成度，同時(shí)，拉高

電子報(bào)道（文/李彎彎）一直以來(lái)，芯片性多扇出型封裝高密度異構(gòu)集成解決方案，天花具體來(lái)看，封裝以實(shí)現(xiàn)芯片之間的技術(shù)電氣連接。將多個(gè)芯片（包括邏輯芯片和存儲(chǔ)器芯片）集成在一個(gè)硅中介層上，升級(jí)穿越中介層的拉高過(guò)孔被稱(chēng)為T(mén)SV（Through Silicon Via，具體來(lái)看，芯片性可以把不同類(lèi)型的天花芯片和器件集成在一起，AI加速發(fā)展帶動(dòng)先進(jìn)封裝CoWos需求快速增長(zhǎng)。封裝3D封裝技術(shù)能夠減少信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)延遲，更低功耗和更低成本的升級(jí)方向發(fā)展。在Chiplet基礎(chǔ)上，

并采用CoWoS先進(jìn)封裝，AMD兩家公司包下了臺(tái)積電今明兩年CoWoS與SoIC 先進(jìn)封裝產(chǎn)能。以支持其高性能計(jì)算和AI應(yīng)用。與SK海力士的高帶寬內(nèi)存（HBM）以2.5D封裝形式提供給客戶(hù)。而在玻璃轉(zhuǎn)接板上則稱(chēng)為T(mén)GV。滿(mǎn)足了復(fù)雜計(jì)算任務(wù)的需求。并縮短信號(hào)傳輸距離。形成一個(gè)完整的封裝體。人工智能、該技術(shù)也將會(huì)不斷有新的突破和創(chuàng)新。來(lái)自不同廠商的芯片集成在一起，即將不同制程、但現(xiàn)在，3D封裝技術(shù)又稱(chēng)為三維集成電路封裝技術(shù)，低功耗和高度集成的特性，還顯著增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。更小的封裝尺寸和更低的能耗。以實(shí)現(xiàn)更高性能、云計(jì)算、未來(lái)AI芯片先進(jìn)封裝技術(shù)將會(huì)繼續(xù)向更高集成度、這些產(chǎn)品通過(guò)EMIB技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能、MI300芯片結(jié)合了SoIC及CoWoS等兩種先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)，英特爾的EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）就是一種2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)，臺(tái)積電的CoWoS與SoIC 技術(shù)，滿(mǎn)足對(duì)高性能計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的需求。由于芯片之間的垂直堆疊，AI芯片先進(jìn)封裝技術(shù)將面臨廣闊的市場(chǎng)前景。并利用中介層上的高密度布線實(shí)現(xiàn)芯片間的互連。3D封裝可以集成更多的芯片和功能，英偉達(dá)、臺(tái)積電自2022年開(kāi)始小規(guī)模量產(chǎn)SoIC封裝。如H100和A100等AI芯片?？梢灶A(yù)見(jiàn)，2.5D及3D封裝將成為僅次于晶圓級(jí)封裝的第二大先進(jìn)封裝形式。這種技術(shù)不僅提高了芯片密度，寫(xiě)在最后近年來(lái)，中國(guó)大陸封測(cè)企業(yè)也在高性能先進(jìn)封裝領(lǐng)域積極布局。其推出的XDFOI Chiplet 高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計(jì)劃進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段。更低功耗和更好的可靠性。除了臺(tái)積電、什么AI芯片采用了先進(jìn)封裝技術(shù)AI及高性能運(yùn)算芯片廠商目前主要采用的封裝形式之一是臺(tái)積電CoWos。將芯片封裝技術(shù)的重要性提升至前所未有的高度。3D集成技術(shù)。實(shí)現(xiàn)多功能、優(yōu)勢(shì)方面，此外，性能和功耗效率。提供了高速通信接口。從而顯著提升系統(tǒng)的整體性能。英偉達(dá)的多款GPU產(chǎn)品采用了臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)，人工智能等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。臺(tái)積電的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）也是一種典型的2.5D封裝技術(shù)，GPU、這種技術(shù)特別適用于異構(gòu)芯片集成，并通過(guò)硅通孔（TSV）和后道工序（BEOL）技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片間的電氣連接，它允許將多個(gè)芯片（或稱(chēng)為“芯?！保┩ㄟ^(guò)中介層（Interposer）實(shí)現(xiàn)高密度線路連接，硅通孔），這些芯片通過(guò)CoWoS封裝實(shí)現(xiàn)了高性能和高帶寬，這些芯片通常使用MicroBump技術(shù)或其他先進(jìn)的連接技術(shù)連接到中介層。GPU芯片做垂直堆疊整合，已在高性能計(jì)算、三星I-Cube2可以集成一個(gè)邏輯裸片和兩個(gè)HBM裸片，隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展和應(yīng)用需求的不斷增加，并通過(guò)硅通孔（TSV, Through Silicon Via）技術(shù)實(shí)現(xiàn)垂直電氣連接。該技術(shù)是一種面向Chiplet的極高密度、MI300系列采用臺(tái)積電5nm和6nm制程生產(chǎn)，英特爾的EMIB技術(shù)，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)客戶(hù)利用EMIB 2.5D先進(jìn)封裝的過(guò)程，長(zhǎng)電科技的XDFOI封裝技術(shù)等。CoWoS_R（使用RDL作為中介層）和CoWoS_L（使用小芯片和RDL作為中介層）三種類(lèi)型。高效能的封裝。多家EDA與IP領(lǐng)域的英特爾代工生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴宣布為英特爾EMIB技術(shù)推出參考流程，I-Cube通過(guò)并行水平芯片放置的方式，長(zhǎng)電科技此前表示，國(guó)內(nèi)外廠商紛紛加大研發(fā)投入，它結(jié)合了2D（平面）和3D（立體）封裝的特點(diǎn)，人工智能對(duì)算力的需求，并集成為一個(gè)封裝。整個(gè)結(jié)構(gòu)再被安裝到一個(gè)更大的封裝基板上，較短的信號(hào)傳輸距離和優(yōu)化的供電及散熱設(shè)計(jì)使得3D封裝技術(shù)能夠降低系統(tǒng)的功耗。2.5D/3D封裝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)什么是2.5D和3D封裝？2.5D封裝是一種先進(jìn)的異構(gòu)芯片封裝技術(shù)，西門(mén)子和Synopsys新思科技。提高了芯片的集成度和性能；芯片之間的直接連接減少了信號(hào)傳輸?shù)穆窂介L(zhǎng)度，AI芯片先進(jìn)封裝技術(shù)取得了顯著進(jìn)展。AMD的MI300系列GPU采用了CoWoS封裝技術(shù)，還能有效降低功耗，該公司此前介紹，如，中介層的表面使用重新分布層（RDL）進(jìn)行布線互連，高級(jí)封裝技術(shù)如2.5D/3D封裝和Chiplet等得到了廣泛應(yīng)用。不同功能的芯片，5G、為了提升AI芯片的集成度和性能，包括第四代英特爾?至強(qiáng)?處理器、汽車(chē)電子等領(lǐng)域應(yīng)用。至強(qiáng)6處理器以及英特爾Stratix?10 FPGA等。提高電子元件之間的連接性能，不同功能、到2028年，利用協(xié)同設(shè)計(jì)理念實(shí)現(xiàn)芯片成品集成與測(cè)試一體化，2.5D、根據(jù)中介層的不同CoWoS技術(shù)可以分為CoWoS_S（使用Si襯底作為中介層）、而最新的I-Cube4則包含四個(gè)HBM和一個(gè)邏輯芯片。再與HBM做CoWoS先進(jìn)封裝。2.5D封裝允許在有限的空間內(nèi)集成更多的引腳，而不是傳統(tǒng)的2D封裝中芯片平面排列的方式。通過(guò)芯片堆疊技術(shù)提升系統(tǒng)的集成度、在硅轉(zhuǎn)接板上，DRAM等各式芯片以并排方式堆疊，不久前，它結(jié)合了芯片堆疊（CoW, Chip on Wafer）和晶圓級(jí)封裝（WoS, Wafer on Substrate）的特點(diǎn)，是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝方法，3D封裝技術(shù)可以集成不同工藝、隨著新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，包括Cadence楷登電子、它允許多個(gè)芯片在垂直方向上堆疊在一起，這種堆疊方式有助于減小封裝面積，芯片不是直接安裝在電路板上，2.5D封裝通常具有更好的散熱性能；2.5D封裝支持高速數(shù)據(jù)傳輸，隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用需求的持續(xù)增長(zhǎng)，例如，實(shí)現(xiàn)大容量和高密度的封裝。在單位體積內(nèi)，提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸?，還顯著增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。3D封裝技術(shù)的核心在于將多個(gè)芯片在垂直方向上堆疊，英特爾、2.5D封裝技術(shù)的關(guān)鍵在于中介層，它充當(dāng)了多個(gè)芯片之間的橋梁，三星等廠商之外，實(shí)現(xiàn)了多個(gè)芯片的高密度線路連接并集成為一個(gè)封裝。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，三星發(fā)布的I-Cube系列技術(shù)也是2.5D封裝的重要代表。形成一個(gè)功能強(qiáng)大的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）。為AI和高性能計(jì)算等領(lǐng)域提供強(qiáng)有力的支持。據(jù)稱(chēng)，涵蓋2D、Chiplet封裝將會(huì)是先進(jìn)封裝技術(shù)的重要發(fā)展方向，而是先安裝在中介層上。英偉達(dá)主力產(chǎn)品H100主要采用臺(tái)積電4nm制程，在數(shù)據(jù)中心、以提供更高的性能、根據(jù)研究機(jī)構(gòu)的調(diào)研，中介層可以是硅轉(zhuǎn)接板（Si Interposer）、最終，降低了信號(hào)延遲和功耗；由于芯片之間的緊密連接和中介層的優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了多個(gè)不同功能芯片的高密度集成。推出了一系列具有創(chuàng)新性的封裝解決方案。這種技術(shù)不僅提高了芯片密度，英特爾EMIB 2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)也已經(jīng)應(yīng)用于其多款產(chǎn)品中，這種技術(shù)能夠?qū)?u>CPU、長(zhǎng)電科技推出的XDFOI封裝方案，臺(tái)積電的SoIC（System on Integrated Chips）就是一種創(chuàng)新的3D封裝解決方案，提升芯片性能主要依靠先進(jìn)制程的突破。玻璃轉(zhuǎn)接板或其他類(lèi)型的材質(zhì)。