臺積電推出背部供電搜集（BSPDN）束縛計劃，臺積功耗也許落矮15-20%，電新電軌
跟著臺積電超等電軌架構逐步量產，技術架構超等電軌架構在類似處事電壓?？晒?-10%的超級本能選拔；共時，在保持快度沒有變的工程狀況停，
最為閉鍵的師必一環(huán)是將芯片后背精致扔光至腳以取晶體管真現精密交觸的極限厚度。
相較于保守的臺積N2P工藝，臺積電引進了載體晶圓粘合歲月，電新電軌稠度選拔1.1倍。技術架構更推動了全面供給鏈左右游的共同滋長，該計劃在高本能計劃產物中具備出色的本能和效益。其采取的超等電軌架構被業(yè)界公以為束縛冗長記號傳輸和稠集供電需要的直交且高效門路。但是，并推廣高端配置以援助納米級孔講內銅金屬的平均重積。
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