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三菱電機(jī)SiC器件的發(fā)展歷程

來(lái)源:銖積寸累網(wǎng)編輯:焦點(diǎn)時(shí)間:2024-11-15 01:26:05

三菱電機(jī)從事SiC器件開(kāi)發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的菱電歷史,從基礎(chǔ)研究、器件應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,展歷從2英寸、菱電4英寸晶圓到6英寸晶圓,器件三菱電機(jī)一直致力于開(kāi)發(fā)和應(yīng)用高性能、展歷高可靠性且高性價(jià)比的菱電SiC器件,本篇章帶你了解三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史。器件

三菱電機(jī)從上世紀(jì)90年代已經(jīng)開(kāi)始啟動(dòng)SiC相關(guān)的展歷研發(fā)工作。最初階段,菱電SiC晶體的器件品質(zhì)并不理想,適合SiC的展歷器件結(jié)構(gòu)和制造工藝仍處于探索階段,但研發(fā)人員堅(jiān)信SiC MOSFET是菱電能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件,因此一直致力于相關(guān)研發(fā)。器件

三菱電機(jī)于2003年開(kāi)發(fā)出耐壓2kV的展歷小芯片SiC MOSFET,并于2005年開(kāi)發(fā)出耐壓1200V、電流10A的SiC MOSFET樣片。對(duì)10A的SiC MOSFET進(jìn)行動(dòng)態(tài)特性評(píng)估,結(jié)果表明,與Si IGBT相比,開(kāi)關(guān)損耗可顯著降低。隨后,三菱電機(jī)繼續(xù)開(kāi)發(fā)大電流芯片、3.3kV高耐壓芯片以及集成各種功能的SiC MOSFET器件,并將持續(xù)致力于開(kāi)發(fā)高性能、高可靠性且易于使用的SiC MOSFET器件。

三菱電機(jī)集團(tuán)內(nèi)部擁有器件開(kāi)發(fā)、電力電子應(yīng)用開(kāi)發(fā)和系統(tǒng)開(kāi)發(fā)等部門。利用這一優(yōu)勢(shì),三菱電機(jī)在開(kāi)發(fā)SiC芯片的同時(shí),也率先著手開(kāi)發(fā)SiC MOSFET逆變器。2007年,制造了應(yīng)用SiC MOSFET的3.7kW逆變器,結(jié)果顯示可將逆變器損耗降低50%。2009年,制造出了11kW和20kW逆變器,根據(jù)驅(qū)動(dòng)條件的不同,逆變器損耗可降低70-90%。這一時(shí)期,SiC晶圓的品質(zhì)得到加速改善,SiC工藝相關(guān)技術(shù)知識(shí)也在不斷積累,大家對(duì)SiC功率器件的實(shí)際期望也在不斷提高。然而,由于擔(dān)心柵極氧化膜的可靠性,一些制造商對(duì)SiC MOSFET仍持懷疑態(tài)度。

三菱電機(jī)很早就開(kāi)始著手SiC器件應(yīng)用的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)。2010年,三菱電機(jī)率先將采用SiC SBD的混合DIPIPM應(yīng)用到空調(diào)產(chǎn)品中并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。2011年,開(kāi)發(fā)出1200A/1700V的大功率混合SiC模塊,并將其應(yīng)用于地鐵的主逆變器中。關(guān)于SiC MOSFET,三菱電機(jī)于2013年將3.3kV全SiC模塊成功應(yīng)用于軌道車輛主逆變器中,并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。3.3kV全SiC模塊已應(yīng)用于包括高速列車在內(nèi)的眾多軌道車輛主逆變器中,并已投入商業(yè)化運(yùn)營(yíng)。此外,三菱電機(jī)分別于2015年和2016年,將SiC MOSFET成功應(yīng)用到工業(yè)用IPM和家電用DIPIPM中,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化,有助于降低系統(tǒng)的損耗。尤其是SiC MOSFET在軌道車輛主逆變器中的應(yīng)用,對(duì)行業(yè)產(chǎn)生了巨大影響,并加速了SiC MOSFET的產(chǎn)品化和普及。

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關(guān)于三菱電機(jī)SiC器件的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)線,三菱電機(jī)于2000年建立了2英寸和3英寸的生產(chǎn)線,在2009年建立了4英寸生產(chǎn)線并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化。在2010年代后期,建立了6英寸生產(chǎn)線,也是目前的主要生產(chǎn)線。未來(lái),晶圓供應(yīng)商和設(shè)備制造商都希望轉(zhuǎn)向8英寸晶圓生產(chǎn)線,三菱電機(jī)也正在開(kāi)發(fā)8英寸生產(chǎn)線,計(jì)劃于2026年開(kāi)始運(yùn)行。今后,隨著SiC器件在電動(dòng)汽車、新能源等市場(chǎng)領(lǐng)域的大幅擴(kuò)大,8英寸生產(chǎn)線的投入將有望大幅降低成本、提高生產(chǎn)效率。

<關(guān)于三菱電機(jī)>

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財(cái)年,集團(tuán)營(yíng)收52579億日元(約合美元348億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù),并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng),三菱電機(jī)從事開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有68年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

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