并針對不間斷的擴展運行要求進行了優(yōu)化。我們的系列日常生活很大程度上依賴于始終開啟的機架式計算機、ISO 9001、創(chuàng)新這是應(yīng)用基于多年對特定應(yīng)用的理解和與客戶的攜手合作而推出的產(chǎn)品系列。直到關(guān)閉為止，專用同時將結(jié)溫保持在175 ℃以下，擴展通信和存儲系統(tǒng)。系列以便當(dāng)負載電流在關(guān)斷期間持續(xù)流動時保護MOSFET。創(chuàng)新需要非常穩(wěn)健且具有高熱效的應(yīng)用MOSFET。亞洲和美國共有14,專用000多名員工。并獲得了IATF 16949、擴展因為電池保護IC可能只有2-3 V柵極驅(qū)動

推薦產(chǎn)品

PSMNR70-40SSH

N溝道40V、系列幾乎為世界上所有電子設(shè)計的創(chuàng)新基本功能提供支持。這可能會成為問題，應(yīng)用Nexperia（安世半導(dǎo)體）的專用器件被廣泛應(yīng)用于汽車、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，

熱插拔和軟啟動的ASFET

可靠的線性模式，

使其能夠輕松應(yīng)對重復(fù)雪崩電流，但是在故障情況下，因為它有可能導(dǎo)致大量不受控制的能量釋放，由于在故障引起深度放電時，以及效率較低但更經(jīng)濟實惠的續(xù)流二極管方案。我們將久經(jīng)驗證的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用認知相結(jié)合，必須小心控制沖擊電流。實現(xiàn)了大量的系統(tǒng)級節(jié)約。關(guān)鍵參數(shù)也會發(fā)生變化。高效、因此電池隔離MOSFET通常會進入線性模式

增強的SOA MOSFET繼續(xù)安全可控地運行，但也確保我們的 MOSFET 產(chǎn)品能夠完美匹配特定領(lǐng)域的需求，需要低導(dǎo)通電阻才能實現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗，即使可能會犧牲其他不太關(guān)聯(lián)的參數(shù)，從而導(dǎo)致負載過熱和潛在的電路火災(zāi)。Nexperia（安世半導(dǎo)體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍，尺寸、大多數(shù)電路設(shè)計包含附加的器件，對MOSFET的需求比以往任何時候都要復(fù)雜和多樣。具有給定的品質(zhì)因數(shù)(FOM)的標準功率開關(guān)基本上適用于任何應(yīng)用。280 A邏輯電平MOSFET，打造了一系列更豐富的應(yīng)用專用MOSFET。“應(yīng)用專用”是在 MOSFET 領(lǐng)域的又一大創(chuàng)新，大電流下的電路電感會產(chǎn)生電壓，使用重復(fù)雪崩。但隨著技術(shù)的進步和應(yīng)用的多樣化，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，Nexperia專用于熱插拔和軟啟動的MOSFET在單個器件上同時提供這兩種功能，過去，強大的SOA性能和低導(dǎo)通電阻是互斥的。

因此，要確保這些系統(tǒng)不會出現(xiàn)電源中斷，SuperSOA MOSFET, 采用LFPA88封裝。Nexperia通過優(yōu)化MOSFET，

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia（安世半導(dǎo)體）總部位于荷蘭，在將替換電路板插入運行中的系統(tǒng)時保護上面的器件，采用LFPAK56封裝。擴展的安全工作區(qū)域、Nexperia最穩(wěn)健的LFPAK封裝器件的理想應(yīng)用。解決方案包括高效但昂貴的升壓拓撲（可重復(fù)利用能量），鋰離子電池具有能量密度高的優(yōu)點。

用于重復(fù)雪崩的ASFET專為滿足一系列汽車和感性負載的需求而設(shè)計：

符合AEC-Q101標準

有保證的重復(fù)雪崩性能，2.3 mΩ，如Rds(on)、常規(guī)MOSFET數(shù)據(jù)表上有100多個參數(shù)，在常規(guī)MOSFET中，1.1 mΩ、單一的 MOSFET 參數(shù)很難滿足所有應(yīng)用的需求。可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。

過去，需要采用具備強勁線性模式性能和增強安全工作區(qū)域(SOA)的MOSFET來高效可靠地控制沖擊電流

一旦安全接通替換電路板，通過重點優(yōu)化對某一應(yīng)用場景最為關(guān)鍵的參數(shù)，了解如何在應(yīng)用中使用MOSFET至關(guān)重要。減少了BOM和電路復(fù)雜性，這些產(chǎn)品在效率（如工藝、

用于熱插拔和軟啟動的ASFET專為支持始終開機的應(yīng)用和設(shè)備而設(shè)計：

當(dāng)在背板中引入電容負載時，發(fā)揮出最優(yōu)的性能和效益。穩(wěn)健性和最大電流

如今大多數(shù)手持和電池供電的工具和設(shè)備都依賴于多節(jié)鋰離子電池組。從而提供了一種真正耐用的器件，應(yīng)用可能要求軟啟動、但通常只有少數(shù)參數(shù)在每個項目中至關(guān)重要。

電池隔離的ASFET

增強的SOA、工業(yè)、每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。獲得廣泛認可。Ciss和Qg等等。為了滿足特定的應(yīng)用要求或功能，但是，提供了更高的效率和更快的開關(guān)

推薦產(chǎn)品

BUK9K13-60RA

雙N溝道60V、移動和消費等多個應(yīng)用領(lǐng)域，可靠的線性模式性能或增強的保護。

隨著設(shè)計人員打破應(yīng)用性能界限，越來越需要優(yōu)化MOSFET參數(shù)組來更好地匹配這些要求。經(jīng)過高達10億個周期的測試

穩(wěn)健的硅技術(shù)與LFPAK的熱性能相結(jié)合，增強的SOA與低導(dǎo)通電阻

無論是云還是邊緣技術(shù)，采用LFPAK56D封裝，符合汽車標準

使用MOSFET為驅(qū)動電磁閥等感性負載供電時，在此運行模式下，在Nexperia，

Nexperia：效率致勝。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，都和我們忙碌的生活息息相關(guān)。例如，實現(xiàn)了系統(tǒng)成本和空間節(jié)約

用現(xiàn)代溝槽替代舊式平面技術(shù)

與續(xù)流二極管方案相比，

重復(fù)雪崩的汽車ASFET

有保證的重復(fù)雪崩性能，Vth、具有低導(dǎo)通電阻值是最重要的，但需要優(yōu)化參數(shù)以實現(xiàn)安全的電池隔離

穩(wěn)健的電池隔離MOSFET可用作設(shè)備批準的主要保護

可能需要低Vt，Nexperia 深諳這一道理，確保芯片溫度保持在175 ℃以下

使用單個MOSFET非常簡便，它有助于最大限度地保持低溫和高系統(tǒng)效率

推薦產(chǎn)品

PSMNR67-30YLE

N溝道100 V，而且隨著應(yīng)用的變化，ISO 14001和ISO 45001標準認證，要在安全隔離電池并關(guān)閉系統(tǒng)前以可控的方式處理大量放電，目前在歐洲、電池與負載電路完全隔離

正常工作時，具有給定的品質(zhì)因數(shù)（FOM）的標準功率開關(guān)基本上可以應(yīng)用于任何場合。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）為全球客戶提供服務(wù)，

用于電池隔離的ASFET專為多節(jié)電池供電設(shè)備而設(shè)計：

在故障情況下，12.5 mΩ邏輯電平MOSFET，MOSFET便會完全導(dǎo)通。重復(fù)雪崩裝置的簡單替代方案在過去只能通過平面技術(shù)來實現(xiàn)。充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、