隨著(zhù)設計人員打破應用性能界限，擴展了解如何在應用中使用MOSFET至關(guān)重要。系列過(guò)去，創(chuàng )新具有給定的應用品質(zhì)因數(FOM)的標準功率開(kāi)關(guān)基本上適用于任何應用。但是專(zhuān)用，為了滿(mǎn)足特定的擴展應用要求或功能，越來(lái)越需要優(yōu)化MOSFET參數組來(lái)更好地匹配這些要求。系列例如，創(chuàng )新應用可能要求軟啟動(dòng)、應用擴展的專(zhuān)用安全工作區域、可靠的擴展線(xiàn)性模式性能或增強的保護。在Nexperia，系列我們將久經(jīng)驗證的創(chuàng )新MOSFET專(zhuān)業(yè)知識和廣泛的應用認知相結合，打造了一系列更豐富的應用應用專(zhuān)用MOSFET。

過(guò)去，專(zhuān)用具有給定的品質(zhì)因數（FOM）的標準功率開(kāi)關(guān)基本上可以應用于任何場(chǎng)合。但隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步和應用的多樣化，對MOSFET的需求比以往任何時(shí)候都要復雜和多樣。常規MOSFET數據表上有100多個(gè)參數，如Rds(on)、Vth、Ciss和Qg等等。但通常只有少數參數在每個(gè)項目中至關(guān)重要。而且隨著(zhù)應用的變化，關(guān)鍵參數也會(huì )發(fā)生變化。

因此，單一的 MOSFET 參數很難滿(mǎn)足所有應用的需求。Nexperia 深諳這一道理，“應用專(zhuān)用”是在 MOSFET 領(lǐng)域的又一大創(chuàng )新，這是基于多年對特定應用的理解和與客戶(hù)的攜手合作而推出的產(chǎn)品系列。通過(guò)重點(diǎn)優(yōu)化對某一應用場(chǎng)景最為關(guān)鍵的參數，即使可能會(huì )犧牲其他不太關(guān)聯(lián)的參數，但也確保我們的 MOSFET 產(chǎn)品能夠完美匹配特定領(lǐng)域的需求，發(fā)揮出最優(yōu)的性能和效益。

重復雪崩的汽車(chē)ASFET

有保證的重復雪崩性能，符合汽車(chē)標準

使用MOSFET為驅動(dòng)電磁閥等感性負載供電時(shí)，大多數電路設計包含附加的器件，以便當負載電流在關(guān)斷期間持續流動(dòng)時(shí)保護MOSFET。解決方案包括高效但昂貴的升壓拓撲（可重復利用能量），以及效率較低但更經(jīng)濟實(shí)惠的續流二極管方案。重復雪崩裝置的簡(jiǎn)單替代方案在過(guò)去只能通過(guò)平面技術(shù)來(lái)實(shí)現。Nexperia通過(guò)優(yōu)化MOSFET，使其能夠輕松應對重復雪崩電流，同時(shí)將結溫保持在175 ℃以下，從而提供了一種真正耐用的器件，實(shí)現了大量的系統級節約。

用于重復雪崩的ASFET專(zhuān)為滿(mǎn)足一系列汽車(chē)和感性負載的需求而設計：

符合AEC-Q101標準

有保證的重復雪崩性能，經(jīng)過(guò)高達10億個(gè)周期的測試

穩健的硅技術(shù)與LFPAK的熱性能相結合，確保芯片溫度保持在175 ℃以下

使用單個(gè)MOSFET非常簡(jiǎn)便，減少了BOM和電路復雜性，實(shí)現了系統成本和空間節約

用現代溝槽替代舊式平面技術(shù)

與續流二極管方案相比，提供了更高的效率和更快的開(kāi)關(guān)

推薦產(chǎn)品

BUK9K13-60RA

雙N溝道60V、12.5 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56D封裝，使用重復雪崩。

電池隔離的ASFET

增強的SOA、穩健性和最大電流

如今大多數手持和電池供電的工具和設備都依賴(lài)于多節鋰離子電池組。鋰離子電池具有能量密度高的優(yōu)點(diǎn)。但是在故障情況下，這可能會(huì )成為問(wèn)題，因為它有可能導致大量不受控制的能量釋放，從而導致負載過(guò)熱和潛在的電路火災。要在安全隔離電池并關(guān)閉系統前以可控的方式處理大量放電，需要非常穩健且具有高熱效的MOSFET。Nexperia最穩健的LFPAK封裝器件的理想應用。

用于電池隔離的ASFET專(zhuān)為多節電池供電設備而設計：

在故障情況下，由于在故障引起深度放電時(shí)，大電流下的電路電感會(huì )產(chǎn)生電壓，因此電池隔離MOSFET通常會(huì )進(jìn)入線(xiàn)性模式

增強的SOA MOSFET繼續安全可控地運行，直到關(guān)閉為止，電池與負載電路完全隔離

正常工作時(shí)，需要低導通電阻才能實(shí)現低傳導損耗，但需要優(yōu)化參數以實(shí)現安全的電池隔離

穩健的電池隔離MOSFET可用作設備批準的主要保護

可能需要低Vt，因為電池保護IC可能只有2-3 V柵極驅動(dòng)

推薦產(chǎn)品

PSMNR70-40SSH

N溝道40V、1.1 mΩ、280 A邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝。

熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET

可靠的線(xiàn)性模式，增強的SOA與低導通電阻

無(wú)論是云還是邊緣技術(shù)，都和我們忙碌的生活息息相關(guān)。我們的日常生活很大程度上依賴(lài)于始終開(kāi)啟的機架式計算機、通信和存儲系統。要確保這些系統不會(huì )出現電源中斷，在將替換電路板插入運行中的系統時(shí)保護上面的器件，必須小心控制沖擊電流。在常規MOSFET中，強大的SOA性能和低導通電阻是互斥的。Nexperia專(zhuān)用于熱插拔和軟啟動(dòng)的MOSFET在單個(gè)器件上同時(shí)提供這兩種功能，并針對不間斷的運行要求進(jìn)行了優(yōu)化。

用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET專(zhuān)為支持始終開(kāi)機的應用和設備而設計：

當在背板中引入電容負載時(shí)，需要采用具備強勁線(xiàn)性模式性能和增強安全工作區域(SOA)的MOSFET來(lái)高效可靠地控制沖擊電流

一旦安全接通替換電路板，MOSFET便會(huì )完全導通。在此運行模式下，具有低導通電阻值是最重要的，它有助于最大限度地保持低溫和高系統效率

推薦產(chǎn)品

PSMNR67-30YLE

N溝道100 V，2.3 mΩ，SuperSOA MOSFET, 采用LFPA88封裝。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎半導體器件開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車(chē)、工業(yè)、移動(dòng)和消費等多個(gè)應用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶(hù)提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過(guò)1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續擴充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創(chuàng )新、高效、可持續發(fā)展和滿(mǎn)足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。