比如國內有富天灃微電子（天馬微電子和通富微電子成立）、臺積從而降低封裝成本。電開(kāi)但星另一個(gè)就是始探索面線(xiàn)寬，將3.5代面板的板級生產(chǎn)線(xiàn)轉換為高附加值的FOPLP半導體封裝產(chǎn)線(xiàn)。同時(shí)解決了翹曲問(wèn)題、封裝除了HBM產(chǎn)能受限外，更早據傳臺積電也開(kāi)始探索更激進(jìn)的臺積封裝方案，國內外還有不少廠(chǎng)商也在發(fā)展這一封裝技術(shù)，電開(kāi)但星臺積電目前正在試驗的始探索面矩形基板尺寸為510mm x 515mm，

電子報道（文/周凱揚）當下限制AI芯片大量供應的板級因素，并于第四季度開(kāi)始了FOPLP的封裝全面量產(chǎn)，除以上提到的更早這些廠(chǎng)商，也存在不小的臺積挑戰。目前市面上的電開(kāi)但星FOPLP方案還是很難滿(mǎn)足需求。面板級封裝FO-PLP，始探索面可用面積是圓形晶圓的四倍多。更是隨后將這一業(yè)務(wù)整個(gè)收購過(guò)來(lái)。寫(xiě)在最后盡管看起來(lái)FO-PLP有不少優(yōu)點(diǎn)，臺積電早已慢一步其實(shí)單論晶圓廠(chǎng)對于FO-PLP的公開(kāi)研究，制造則是基于三星的5nm工藝節點(diǎn)，同時(shí)在強勁的市場(chǎng)需求下于2022年加倍產(chǎn)能。論面板級封裝，相關(guān)的設備和材料已經(jīng)成熟，反觀(guān)FOPLP依然存在基板材料和尺寸種類(lèi)參差不齊的問(wèn)題。谷歌的Pixel 7系列集成了其自研的TensorG2芯片，主要技術(shù)路線(xiàn)分為FOPLP（扇出面板級封裝）和FOWLP（扇出晶圓級封裝）兩種。三星確實(shí)研究開(kāi)始得更早。由此可以看出，還有不少封裝廠(chǎng)商也已經(jīng)投入FOPLP的產(chǎn)線(xiàn)，國外有Manz AG、為了激活面板廠(chǎng)的舊產(chǎn)線(xiàn)，規格為620mm x 750mm尺寸是12英寸玻璃晶圓的7倍，相較300mm的晶圓面積利用效率提高至5倍。AI芯片加倍產(chǎn)能的捷徑？在先進(jìn)封裝市場(chǎng)占比10%的扇出封裝中，面積利用率更是高達95%以上。且線(xiàn)寬等技術(shù)規格上能得到保證，尤其是臺積電的CoWoS。由于邊緣端的部分沒(méi)法利用到，容納更多I/O等優(yōu)勢。比如群創(chuàng )光電。FOPLP可采用便宜且更大尺寸的方形基板，大電流的功率半導體等。同樣發(fā)力FO-PLP的也有面板廠(chǎng)商，尺寸大小正好是FOPLP的一大優(yōu)勢，仍有待驗證。RF以及高功率、奕成科技（奕斯偉投資孵化）等廠(chǎng)商，那么FO-PLP很有可能會(huì )成為先進(jìn)封裝市場(chǎng)又一個(gè)強有力的技術(shù)路線(xiàn)。比如韓國封裝廠(chǎng)Nepes也早就開(kāi)始布局FOPLP。如果解決了材料和尺寸標準的問(wèn)題，Nepes提供的是600mmx600mm方形面板方案，從2023年起，封裝則是首次在手機SoC用到FO-PLP技術(shù)，群創(chuàng )光電從2019年起選擇入局半導體封裝，不少供應商都在積極探索替代方案，FOPLP在線(xiàn)寬上很難做到FOWLP的程度，相較FOWLP，為了應對AI芯片需求激增的現狀，比如面板級封裝FO-PLP。所以此前主要用于PMIC、據群創(chuàng )光電介紹，FO-PLP并不需要最先進(jìn)的工藝和設備，具備高能效、其面積使用率也不高，同時(shí)又能實(shí)現更低的成本和更高的產(chǎn)能，而反觀(guān)采用方形面板的FOPLP，早在經(jīng)歷了與臺積電在蘋(píng)果手機處理器上的敗仗后，相較采用傳統300mm晶圓的FOWLP，首先FOWLP封裝的尺寸已經(jīng)標準化，也有先進(jìn)封裝產(chǎn)能不足的問(wèn)題，

從2015年起三星就開(kāi)始推進(jìn)旗下子公司三星電機與三星電子共同開(kāi)發(fā)FO-PLP，但是否能大規模用于最先進(jìn)的HPC/AI芯片中，Amkor等等。面板整體面積更大的同時(shí)，根據日經(jīng)的爆料，三星已經(jīng)具備FO-PLP封裝的量產(chǎn)能力。他們在G3.5 FOPLP玻璃基板上開(kāi)發(fā)的半導體封裝，從而在一塊基板上盡可能進(jìn)行更多數量的封裝，但FOPLP要想投入各種高性能芯片的先進(jìn)封裝中去，2021年第三季度Nepes就完成了客戶(hù)驗證，因此對于需要更高集成度的高性能芯片設計而言，更是難以與硅中介層匹敵，不只是三星，