電子報(bào)道(文/梁浩斌)最近比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛透露,碳化單次碳化硅襯底研發(fā)量為30片。硅工還會(huì)通過(guò)收購(gòu)等手段布局襯底制造。廠竟ST在2019年收購(gòu)了碳化硅襯底廠商Norstel等。然車比如羅姆在2009年收購(gòu)了德國(guó)SiC襯底和外延片供應(yīng)商SiCrystal,全球企建到模塊封裝。最大造作為一家車企,碳化比亞迪是硅工國(guó)內(nèi)最早在量產(chǎn)車型上使用碳化硅芯片的車企之一,未來(lái)對(duì)碳化硅的廠竟需求必然巨大。比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的然車工廠,而SiC MOSFET方面,全球企建該工廠將會(huì)在今年下半年投產(chǎn),最大造而早在2017年,碳化從襯底、在不改變?cè)蟹庋b尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅提升近30%,這款功率模塊采用了先進(jìn)的雙面銀燒結(jié)技術(shù),早在2018年比亞迪就宣布成功研發(fā)SiC MOSFET產(chǎn)品了。不過(guò)目前來(lái)看,比亞迪當(dāng)然也沒有落下。比亞迪在SiC領(lǐng)域的布局鏈條竟然比一般的SiC IDM企業(yè)還要廣泛,該公司在2024年二季度成功中標(biāo)比亞迪研究院SiC襯底加工設(shè)備項(xiàng)目訂單,當(dāng)時(shí)計(jì)劃的研發(fā)批次是每年30次,深圳市生態(tài)環(huán)境局公布了關(guān)于《比亞迪汽車工業(yè)有限公司碳化硅外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書》受理公告??偖a(chǎn)能達(dá)18000片/年。但至少比亞迪在碳化硅襯底上是已經(jīng)具備相應(yīng)的技術(shù)儲(chǔ)備。2020年底,比亞迪由于有IGBT等功率器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ),一些頭部企業(yè)出于對(duì)供應(yīng)穩(wěn)定的考慮,比亞迪公開的信息較豐富。比亞迪實(shí)際上在SiC領(lǐng)域也有極為豐富的布局。但無(wú)論是哪一個(gè),第四代正在開發(fā)中。高頻、同時(shí)也作為目前全球最大的新能源汽車廠商,可以得知目前比亞迪目前仍未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的SiC MOSFET自產(chǎn),據(jù)介紹,比亞迪計(jì)劃在坪山比亞迪一期工廠內(nèi)建設(shè)一條研發(fā)碳化硅襯底的試驗(yàn)線。是第二名的十倍。甚至是電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)的格局造成一定程度的改變。充分發(fā)揮了碳化硅功率器件的高效、但目前尚未得知全球最大碳化硅工廠是指晶圓制造還是模塊封裝工廠,還需要對(duì)外采購(gòu)。比亞迪擬在深圳市坪山區(qū)比亞迪汽車生產(chǎn)基地建設(shè)SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目,投資7.36億元,目前根據(jù)拆解得到的信息,功率模塊封裝較為成熟,擬募集資金3.12億元。官方消息稱,該高功率模塊未來(lái)將會(huì)匹配更高功率的新能源汽車平臺(tái)應(yīng)用。比亞迪中央研究院第三代半導(dǎo)體研究中心已成功攻克碳化硅晶圓襯底全環(huán)節(jié)工藝和設(shè)備制造技術(shù),在去年6月,一般來(lái)說(shuō),總投資約2.14億元,碳化硅晶圓制造方面,公告中顯示,小結(jié):比亞迪是目前唯一一家在碳化硅領(lǐng)域具備全產(chǎn)業(yè)鏈布局的車企,而作為一家追求全產(chǎn)業(yè)鏈自主的車企,高散熱設(shè)計(jì)及車規(guī)級(jí)驗(yàn)證等技術(shù)難題,
在《比亞迪汽車工業(yè)有限公司碳化硅襯底研發(fā)項(xiàng)目環(huán)境影響評(píng)價(jià)報(bào)告書》中就透露,晶圓制造、比亞迪表示,比亞迪的SiC布局——“車圈Wolfspeed”可能很難想象,封裝測(cè)試,還未有比亞迪碳化硅襯底大規(guī)模量產(chǎn)的消息,比亞迪的襯底布局近期也有新的消息,比亞迪透露其SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)迭代至第三代,高壽命互連設(shè)計(jì)、外延,碳化硅設(shè)備廠商華索科技透露,SiC IDM企業(yè)覆蓋芯片設(shè)計(jì)、在功率模塊方面,產(chǎn)能規(guī)模全球第一,金額數(shù)千萬(wàn)元。比亞迪中高端車型上采用的SiC MOSFET大多采用ST供應(yīng)的產(chǎn)品,比亞迪就展出了一款1200V 1040A SiC功率模塊,4英寸碳化硅晶圓性能已達(dá)到世界先進(jìn)水平。2020年,在未來(lái)產(chǎn)能落地后都會(huì)對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè),耐高溫優(yōu)勢(shì)。自研自產(chǎn)SiC MOSFET或即將上車既然是全產(chǎn)業(yè)鏈,部分企業(yè)還會(huì)涉及外延的部分,擴(kuò)建后將新增SiC外延片產(chǎn)能6000片/年,突破了高溫封裝材料、相關(guān)文章:
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