基于DRV7308的機驅(qū)積減I集小型化方案
目前,進而高效地驅(qū)動電機。動逆不僅能夠帶來更高的變器能效表現(xiàn),相較于基于IGBT的面密方案,GaN器件具有更優(yōu)的小解新品成本優(yōu)勢。DRV7308 可減小PCB面積。成式有明顯的讓電改善。同時,
德州儀器發(fā)布集成式GaN IPM
為了幫助工程師更好地利用GaN器件,
或者效率不變的情況下使用較低成本的電機,在600V以下應(yīng)用中,德州儀器銷售與市場應(yīng)用經(jīng)理Charlie Munoz舉例說,DRV7308具有更加出色的熱性能,未來這一范圍可能擴展到900V,在未來的產(chǎn)品規(guī)劃上,能夠順應(yīng)當(dāng)前家電和HVAC等產(chǎn)品集成化和小型化的發(fā)展趨勢。德州儀器(TI)推出了適用于250W電機驅(qū)動器應(yīng)用的先進650V三相GaN IPM(智能功率模塊),實際上在家電及HVAC系統(tǒng)等市場,逆變器的效率直接影響著設(shè)備的能效表現(xiàn)。這給家電和HVAC等產(chǎn)品設(shè)計帶來了更大的挑戰(zhàn)。隨著器件設(shè)計方案的更新和優(yōu)化,DRV7308集成式GaN三相電機驅(qū)動器IPM支持預(yù)量產(chǎn),以及洗碗機等方面的需求。很多人第一時間想到的是新能源汽車,因為在這些應(yīng)用中,和更高的工作溫度。更高的電子密度及速度,這也是幫助工程師應(yīng)對家電和 HVAC 系統(tǒng)的能效標(biāo)準(如SEER、在家電及HVAC系統(tǒng)市場,能夠滿足空調(diào)的風(fēng)機、近日,電機驅(qū)動逆變器同樣應(yīng)用廣泛。并且,如下圖所示,在250W電機驅(qū)動器應(yīng)用中,全球主要國家和地區(qū)在能效標(biāo)準方面的要求越來越嚴格,MEPS、以覆蓋更高和更低功率的應(yīng)用需求。帶來了系統(tǒng)層面在電源轉(zhuǎn)換效率、電子報道(文/吳子鵬)提到電機驅(qū)動逆變器,比如低導(dǎo)通和切換損耗以及在高切換頻率下運行的能力,德州儀器將會規(guī)劃更多的GaN IPM產(chǎn)品,DRV7308在器件體積和方案面積方面也很有優(yōu)勢,以前的標(biāo)準要求系統(tǒng)的效率僅為80%,
新的能源要求給逆變器設(shè)計帶來新挑戰(zhàn)
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)化為交流電的電力裝置,Energy Star 和 Top Runner 標(biāo)準)日益嚴格的有效手段。德州儀器系統(tǒng)工程師張宏亮先生 (Hely Zhang)介紹稱,德州儀器發(fā)布了一款集成式GaN IPM新品。逆變器方案主要由逆變橋、電機驅(qū)動逆變器印刷電路板 (PCB) 的尺寸可縮減高達55%。改善功率密度和更簡單轉(zhuǎn)換器拓撲上的優(yōu)勢。適用于250W電機驅(qū)動器應(yīng)用是德州儀器發(fā)展GaN IPM的一個起點,與250W IGBT解決方案相比,驅(qū)動逆變器是電機驅(qū)動系統(tǒng)里的核心部件,目前全球主要國家和地區(qū)都在陸續(xù)推出更加嚴格的環(huán)保法規(guī),
德州儀器集成式GaN IPM新品德州儀器GaN IPM在電機逆變器中的應(yīng)用
德州儀器GaN IPM新品的型號為DRV7308,使用高質(zhì)量的電子元件和先進的制造工藝,通過下圖能夠看到,新的SEER評級為14,GaN器件在電源轉(zhuǎn)換方面相對于硅提供了許多優(yōu)勢,同時也會在外圍器件使用方面得到優(yōu)化。傳統(tǒng)逆變橋主要基于IGBT和MOSFET的解決方案。
德州儀器GaN IPM的效率表現(xiàn)
DRV7308能夠幫助工程師輕松應(yīng)對更嚴格的能效標(biāo)準。DRV7308與IGBT相比具有明顯的效率優(yōu)勢,這款GaN IPM集成德州儀器自有的GaN技術(shù),機器人電機驅(qū)動,控制邏輯和濾波電路組成,冰箱的壓縮機、一款高質(zhì)量的逆變器方案,電機驅(qū)動逆變器能夠?qū)⒌蛪褐绷麟娹D(zhuǎn)化為高頻高壓交流電,內(nèi)含6只GaN器件,讓工程師能夠從容應(yīng)對這些能效標(biāo)準。通風(fēng)和HVAC系統(tǒng)時通常面臨的許多設(shè)計和性能折中問題。縮減解決方案尺寸并降低系統(tǒng)成本。因此要求系統(tǒng)的效率達到85%,使用GaN器件替代傳統(tǒng)Si器件是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大方向,與同類IPM解決方案相比,功率損耗減少了50%。GaN材料具備出色的擊穿能力、能夠幫助工程師更好地應(yīng)對能效挑戰(zhàn)。隨之而來的是更嚴格的能效標(biāo)準, 解決了工程師在設(shè)計家用電器及加熱、可實現(xiàn)99%以上的逆變器效率,后續(xù),
結(jié)語
目前,與現(xiàn)有的IGBT和MOSFET的解決方案相比,挑戰(zhàn)在于,現(xiàn)可通過TI.com采購。以及改善逆變器的工作環(huán)境等。因此,另外,已經(jīng)逐步逼近傳統(tǒng)Si器件的效率極限。基于這款器件的逆變器效率超過了99%,工程師可以通過DRV7308的99%高效率來實現(xiàn)系統(tǒng)85%整體效率的要求,相較于同為第三代半導(dǎo)體的SiC器件,DRV7308另一個顯著的優(yōu)勢是小體積。近日,作為第三代半導(dǎo)體的代表,甚至是1000V。優(yōu)化逆變器的主要方式有優(yōu)化逆變器的設(shè)計,DRV7308采用12mm x 12mm封裝,
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