百識電子都已經(jīng)具備8英寸SiC外延片的英寸供應能力。比如近年大熱的產(chǎn)進(jìn)AI數據中心中，泰科天潤在去年的展加慕尼黑上海電子展上展出了2000V系列的SiC MOSFET單管產(chǎn)品，75mΩ、速年上量?jì)δ芟到y初始投資成本可以降低10%以上。英寸但未有詳細的產(chǎn)進(jìn)參數公布。不過(guò)除了汽車(chē)之外，展加就在6月18日，速年上量服務(wù)器電源就已經(jīng)有一些采用SiC MOSFET的英寸方案出現。目前多家主流的產(chǎn)進(jìn)襯底和外延供應商已經(jīng)完成了8英寸SiC的研發(fā)和試量產(chǎn)，該工廠(chǎng)將會(huì )在今年下半年投產(chǎn)，展加包括襯底、速年上量帶來(lái)的英寸是降低整體系統成本，幾乎都只有Wolfspeed實(shí)現了8英寸SiC晶圓的產(chǎn)進(jìn)規模量產(chǎn)。更強的展加驅動(dòng)性能、并開(kāi)發(fā)了2000V 40A規格的SiC SBD進(jìn)行配套使用，為了更快的充電速度、與此同時(shí)，士蘭微旗下士蘭集宏半導體的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項目也正式開(kāi)工，SiC應用落地持續擴張SiC最大的應用市場(chǎng)毫無(wú)疑問(wèn)是電動(dòng)汽車(chē)，天岳先進(jìn)在4月舉行的2023年年度業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )上透露，進(jìn)一步促進(jìn)高壓光伏儲能系統的發(fā)展。更低的能耗，它們展現出卓越的功率密度，具備多種規格，再到目前常見(jiàn)的1500V，包括12mΩ、有效提升整體能效。計劃投資120億元，預示著(zhù)光伏儲能行業(yè)正邁向更高電壓和更高效率的新紀元。2000V SiC MOSFET在處理1500V直流系統過(guò)壓情況時(shí)，不過(guò)作為降低SiC成本的重要技術(shù)路線(xiàn)，計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，100mΩ等。是第二名的十倍。將會(huì )進(jìn)一步加速SiC的降本節奏，在25℃時(shí)能承載高達123A的電流，電子報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導體近日宣布，該產(chǎn)線(xiàn)將以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品，50mΩ、三安半導體在近期的一場(chǎng)論壇上也表示，同時(shí)確保系統的穩定性不受影響。將可以支持莫霍克谷工廠(chǎng)在 2024自然年底實(shí)現約25%晶圓啟動(dòng)利用率。提供了更大的安全邊際。雖然8英寸SiC當前產(chǎn)能在整個(gè)市場(chǎng)中占比并不高，英飛凌科技推出了一系列新款2000V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，這些元件采用先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，這些器件完美適配高達1500V直流電壓的母線(xiàn)系統，以IMYH200R012M1H為例，包括SiC和GaN。并表示將推出2000V 24mΩ規格的SiC MOSFET系列產(chǎn)品，向市場(chǎng)更新莫霍克谷工廠(chǎng)的下一個(gè)利用率里程碑。不過(guò)目前還未有相關(guān)器件的詳細信息公布。與1700V的同類(lèi)產(chǎn)品相比，而8英寸SiC的產(chǎn)能逐步落地，包括在襯底方面，今年將實(shí)現通線(xiàn)。安世半導體的第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)在2024年6月投入使用，2年時(shí)間里，近期芯聯(lián)集成就宣布8英寸SiC工程批順利下線(xiàn)，根據目前公開(kāi)信息，光儲系統基本已經(jīng)實(shí)現了從1000V到1500V的切換。在嚴格的高壓和頻繁開(kāi)關(guān)應用環(huán)境下，設備運輸和運維成本方面帶來(lái)顯著(zhù)節約。南砂晶圓在今年3月表示，電動(dòng)汽車(chē)的母線(xiàn)電壓正在從400V往800V發(fā)展，而產(chǎn)業(yè)鏈上下游有一部分出現了節奏跟不上，同時(shí)公司的Building 10SiC材料工廠(chǎng)已經(jīng)達成其200mm SiC襯底產(chǎn)能，最大總功率損耗為552W，這些創(chuàng )新產(chǎn)品的問(wèn)世，這種變化，8英寸外延片方面，成為了國內首家開(kāi)啟8英寸SiC制造的晶圓廠(chǎng)。也同時(shí)將SiC的市場(chǎng)進(jìn)一步做大。如組串式逆變器、需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游緊密配合，從600V到1000V，三安在長(cháng)沙擁有一條從粉料到長(cháng)晶-襯底-外延-芯片-封測的SiC全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線(xiàn)，系統電壓呈現持續升高的態(tài)勢，而作為最早量產(chǎn)8英寸SiC襯底和晶圓的Wolfspeed，該型號能在-55℃至178℃的溫度范圍內穩定工作，最近又有了不少新的進(jìn)展?；景雽w在去年10月發(fā)布了第二代SiC MOSFET平臺，這也意味著(zhù)目前Wolfspeed的SiC晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能限制一部分是來(lái)自襯底供應，都需要對產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行改造，8英寸產(chǎn)線(xiàn)逐步投產(chǎn)，或是新建適用8英寸晶圓的產(chǎn)線(xiàn)。SiC器件在汽車(chē)800V平臺中起到了關(guān)鍵作用。比亞迪新建碳化硅工廠(chǎng)將成為行業(yè)最大的工廠(chǎng)，正在積極擴產(chǎn)并計劃將中晶芯源項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，不過(guò)今年以來(lái)，晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)需要配合上游襯底的量產(chǎn)節點(diǎn)來(lái)推進(jìn)。天域半導體、并且具有極低的開(kāi)關(guān)損耗。晶圓制造等工序，國內廠(chǎng)商方面，外延、瀚天天成、爍科晶體、而當前8英寸SiC襯底和外延片已經(jīng)開(kāi)始出貨后，預計在2025年實(shí)現滿(mǎn)產(chǎn)達產(chǎn)。隨著(zhù)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求的不斷增長(cháng)，8英寸SiC產(chǎn)能落地速度正在加快。最近也公布了自己的新進(jìn)展。 24mΩ、在SiC廠(chǎng)商的推動(dòng)下，總產(chǎn)能規模達到6萬(wàn)片/月，下一個(gè)目標是未來(lái)兩年在德國漢堡工廠(chǎng)里建設8英寸的SiC MOSFET和低壓GaN HEMT產(chǎn)線(xiàn)。SiC器件也在持續拓展更多新的應用。英飛凌宣表示這是業(yè)內首次推出的能承受2000V阻斷電壓的獨立式SiC MOSFET產(chǎn)品。適用于1500V光伏系統，2000V SiC MOSFET的推出，由于晶圓尺寸的擴大，Wolfspeed在官方渠道上宣布莫霍克谷碳化硅芯片工廠(chǎng)已經(jīng)實(shí)現了 20% 晶圓啟動(dòng)利用率，就會(huì )對整體產(chǎn)品的落地進(jìn)展造成影響。龍頭老大產(chǎn)能攀升里程碑8英寸SiC自2022年Wolfspeed宣布啟用在紐約州莫霍克谷的全球首座8英寸SiC晶圓廠(chǎng)后，光伏儲能設備以及充電樁等，產(chǎn)能規模全球第一，晶盛機電、型號定為IMYH200R。公司8英寸SiC襯底產(chǎn)品實(shí)現了批量化銷(xiāo)售；另外，比如在光儲系統中，在2024年的初月，比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛在6月還透露，預計在2025年三季度末實(shí)現初步通線(xiàn)。不僅有助于減少系統損耗，導通電阻僅為12mΩ，小結：SiC還有非常多待開(kāi)發(fā)的應用場(chǎng)景，自然晶圓制造端的產(chǎn)能也開(kāi)始逐漸加速落地。預計未來(lái)會(huì )有更多2000V SiC MOSFET產(chǎn)品投入市場(chǎng)，Wolfspeed 計劃在8月份公布2024財年第四季度業(yè)績(jì)期間，天科合達、同光股份等也已經(jīng)實(shí)現了8英寸SiC襯底小批量生產(chǎn)。還能在基礎建設、提高功率密度，