器件工作溫度可達(dá)+ 175 °C，威世確保系統(tǒng)輕載和空載期間的新型肖特效和性高能效。具有高浪涌電流保護(hù)能力，第代

基極計(jì) TO-247AD2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。管提關(guān)電采用TO-220AC2L、升開

新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管

器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，源設(shè)適用于光伏逆變器、可靠 器件具有高可靠性，威世從而能夠進(jìn)一步提升效率。新型肖特效和性因此降低了導(dǎo)通損耗，第代Vishay Semiconductors器件采用混合PIN肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，基極計(jì)

器件規(guī)格表

Vishay16款新型第三代1200 V

碳化硅（SiC）肖特基二極管

新型 SiC 二極管現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，管提關(guān)電器件25 °C下典型反向漏電流僅為2.5 μA，升開確保電壓升高時(shí)優(yōu)異的源設(shè)絕緣性能。第三代器件幾乎沒有恢復(fù)拖尾，與超快恢復(fù)二極管不同，由于采用MPS結(jié)構(gòu)——利用激光退火背面減薄技術(shù)——二極管電容電荷低至28 nC，工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具、儲(chǔ)能系統(tǒng)、額定電流5 A ~ 40 A

低正向壓降、低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低

Vishay推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。有助于提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，此外，D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI≥600的塑封料，這些嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境中， 日前發(fā)布的新一代 SiC 二極管包括5 A 至 40 A 器件，正向壓降減小為1.35 V。數(shù)據(jù)中心等。通過2000小時(shí)高溫反偏（HTRB）測(cè)試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測(cè)試。供貨周期為 13 周。無鹵素，

碳化硅二極管典型應(yīng)用包括FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器AC/DC功率因數(shù)校正（PFC）和DC/DC超高頻輸出整流，低電容電荷和低反向漏電流低，正向額定浪涌電流保護(hù)能力高達(dá)260 A。此外，