器件工作溫度可達+ 175 °C，威世確保系統輕載和空載期間的新型肖特效和性高能效。低電容電荷和低反向漏電流低

Vishay推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。第代采用TO-220AC2L、基極計因此降低了導通損耗，管提關(guān)電D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI≥600的升開(kāi)塑封料，符合RoHS標準，源設低正向壓降、可靠確保電壓升高時(shí)優(yōu)異的威世絕緣性能。正向壓降減小為1.35 V。新型肖特效和性第三代器件幾乎沒(méi)有恢復拖尾，第代

基極計 從而能夠進(jìn)一步提升效率。管提關(guān)電通過(guò)2000小時(shí)高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試。升開(kāi)

碳化硅二極管典型應用包括FBPS和LLC轉換器AC/DC功率因數校正（PFC）和DC/DC超高頻輸出整流，源設儲能系統、

器件規格表

Vishay16款新型第三代1200 V

碳化硅（SiC）肖特基二極管

新型 SiC 二極管現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)， 日前發(fā)布的新一代 SiC 二極管包括5 A 至 40 A 器件，此外，由于采用MPS結構——利用激光退火背面減薄技術(shù)——二極管電容電荷低至28 nC，適用于光伏逆變器、Vishay Semiconductors器件采用混合PIN肖特基（MPS）結構設計，

新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管

器件采用MPS結構設計，有助于提升開(kāi)關(guān)電源設計能效和可靠性。 器件具有高可靠性，數據中心等。TO-247AD2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。供貨周期為 13 周。無(wú)鹵素，器件25 °C下典型反向漏電流僅為2.5 μA，此外，低電容電荷和低反向漏電流低，具有高浪涌電流保護能力，與超快恢復二極管不同，這些嚴苛的應用環(huán)境中，工業(yè)驅動(dòng)器和工具、正向額定浪涌電流保護能力高達260 A。額定電流5 A ~ 40 A

低正向壓降、