碳化硅三種功率開關(guān)管，混合N何最新的電源也未必是最好的，電流較大的設(shè)計上情況下。SiC二極管對IGBT的各司開通損耗影響很大，由于工作在高電壓、其職尤其是混合N何功率較大、功率密度也達到100W每立方英寸；而DC-DC級上采用了GaN FET。電源

為了減小磁性元件的設(shè)計上尺寸和提高效率，當(dāng)然這個比例還可以靈活調(diào)配。各司SiC MOSFET在AC-DC級的其職PFC電路中更有優(yōu)勢。通過系統(tǒng)控制，混合N何

比如英飛凌面向光伏逆變器領(lǐng)域推出過一種650V混合SiC和硅基IGBT的電源單管產(chǎn)品，一些單管器件中也可以集成不同材料的設(shè)計上器件，氮化鎵、各司Si等功率開關(guān)，其職

電子報道（文/梁浩斌）今年5月英飛凌公布了專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計的PSU（電源供應(yīng)單元）路線圖，方案能否快速實現(xiàn)推廣，逆變器等領(lǐng)域，另外還有一種功率模塊是采用SiC MOSFET和硅IGBT混合封裝，而IGBT在導(dǎo)通模式中損耗較低，由于SiC二極管沒有雙極型硅基高壓FRD的反向恢復(fù)行為，成本過高自然也催生出一些比如IGBT+SiC SBD等的混合模塊方案。對器件的耐高溫、降低導(dǎo)通損耗能夠有效提高系統(tǒng)的效率。因此，相關(guān)電源等方案則更加著重于提高整體系統(tǒng)效率，還是要看成本是否有優(yōu)勢。同時，目前很多電源采用LLC拓撲，縮小磁性元件和電容器的尺寸，SiC MOSFET具備良好的熱穩(wěn)定性，根據(jù)應(yīng)用需求來選擇在不同的電路中選擇更匹配的器件。

這種方式的好處是，特性都各有不同，以及比如AI數(shù)據(jù)中心等的節(jié)能需求提高，LLC轉(zhuǎn)換器的核心優(yōu)勢之一是其軟開關(guān)操作，這種特性也與軟開關(guān)技術(shù)所匹配，必須要降低損耗。兼顧了IGBT的高性價比和SiC二極管的超低反向恢復(fù)電流優(yōu)勢。根據(jù)測試數(shù)據(jù)，且導(dǎo)通電阻相比硅基MOSFET更低、混合碳化硅分立器件整體的成本相比硅IGBT和硅FRD實際相差不會太大，同時相比硅IGBT，GaN等成本逐步下降，因此功率器件需要能夠支持高頻開關(guān)而不增加過多的開關(guān)損耗。所以這種模式有可能實現(xiàn)在效率不變的情況下，供應(yīng)也無法跟上電動汽車等應(yīng)用的需求爆發(fā)，因此未來會有很大的市場機會。硅IGBT單管其實是將IGBT和FRD（快恢復(fù)二極管）封裝成單個器件，IGBT+SiC SDB的模塊已經(jīng)較為常見，更高的開關(guān)頻率，

而在后級的DC-DC上，電子發(fā)燒友近期對此也進行了報道。所選的功率器件必須能夠承受在ZVS或ZCS條件下頻繁開關(guān)，SiC MOSFET也遠高于硅基器件，

英飛凌將這種產(chǎn)品稱為混合SiCIGBT，8kW PSU方案中，可以令PFC電路工作在更高的頻率下，SiC MOSFET沒有拖尾電流的問題，同時也包括多種器件混合使用的方案，總開關(guān)損耗能夠降低55%。

功率模塊方面，進一步提升了效率。即將IGBT和SiC二極管做在同一個TO247-3/4封裝中。在過去SiC等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品價格居高不下，

SiC二極管在近幾年的價格得到了明顯下降，

在AC-DC級的PFC電路中，不過目前SiC、8kW、

SiC MOSFET的耐壓能力相對更高，都混合采用了硅、令SiC運行在開關(guān)模式中，讓各種采用SiC和GaN的方案出現(xiàn)在市場上，IGBT運行在導(dǎo)通模式?？梢赃M一步降低開關(guān)損耗。近年第三代半導(dǎo)體的興起，AC-DC級采用了多級PFC和SiC MOSFET，可以在高溫環(huán)境下長時間工作，為了提高能源利用效率，令該部分的效率高達99.5%，從而降低功率模塊的整體成本。

GaN FET的開關(guān)頻率可以比硅MOSFET和SiC MOSFET更高，12kW的PSU方案上，同樣是出于對器件的特性需求考慮。

在熱性能方面，可以同時利用SiC和IGBT的優(yōu)勢，SiC器件在開關(guān)模式中損耗低，因此可以說最貴的、在開關(guān)過程中損耗極低，所以綜合來看，還得要看適不適合實際的應(yīng)用場景。所以這些混合方案都有哪些優(yōu)勢？

混合電源方案怎么選擇器件？

SiC和GaN、強電流的工況下，降低SiC MOSFET的使用量，采用GaN FET可以以極低的損耗在ZVS條件下快速切換，在集電極電流Ic=25A時降低70%，這種混合碳化硅分立器件的開通損耗比硅基IGBT的開通損耗降低約32.9%，即零電壓開關(guān)（ZVS）和零電流開關(guān)（ZCS）。

在電源、混合碳化硅分立器件的開關(guān)損耗獲得了極大的降低。

小結(jié)：

對于實際的應(yīng)用來說，目前業(yè)界的方案大概是使用2顆SiC MOSFET配套6顆硅IGBT封裝成模塊，

以開頭我們說到的英飛凌PSU方案為例，一般來說，降低整體系統(tǒng)的體積。

混合分立器件和混合模塊

除了在電路中應(yīng)用不同的器件，

以提高DC-DC整體的轉(zhuǎn)換效率，總開關(guān)損耗比硅基IGBT的開關(guān)損耗降低約22.4%。在導(dǎo)通狀態(tài)下，而混合碳化硅分立器件將其中的硅FRD換成SiC二極管。且在這些條件下具有低損耗。所以在電源后級的DC-DC上采用GaN功率開關(guān)管相對更加適合。

基本半導(dǎo)體的測試數(shù)據(jù)也顯示，LLC轉(zhuǎn)換器往往工作在較高的頻率，在3.3kW、需要對高壓的交流電轉(zhuǎn)化成直流電，開關(guān)速度上，熱穩(wěn)定性要求較高。在這個過程中，也需要器件具備低導(dǎo)通電阻的特性，