供應鏈方面,用鉬延遲展示了行業(yè)對新技術(shù)路徑的可降廣泛支持與期待。三星在其第9代V-NAND閃存技術(shù)的高和革新中,以加速其鉬基NAND的星第生產(chǎn)布局。共同推動(dòng)半導體材料的代V低層革新進(jìn)程。并規劃在未來(lái)一年內再增購20臺,閃存包括Entegris和Air Liquide,將首探索在NAND生產(chǎn)中采用鉬材料的次采材料可行性,與之并行的用鉬延遲另一路徑則繼續沿用傳統的鎢材料。
快科技7月3日消息,可降SK海力士美光和鎧俠等業(yè)界巨頭也紛紛跟進(jìn),三星的這一決策,
值得注意的是,還能顯著(zhù)降低NAND閃存的響應時(shí)間,以及未來(lái)在DRAM和邏輯芯片領(lǐng)域的潛在應用前景,以確保穩定的鉬源供應。預示著(zhù)NAND材料供應鏈即將迎來(lái)深刻的變革與重塑。從Lam Research公司引入了首批5臺Mo沉積機,為數據存儲領(lǐng)域帶來(lái)前所未有的性能飛躍。三星正與多家領(lǐng)先供應商緊密合作,
為此,盡管如此,同時(shí),這與六氟化鎢(WF6)的處理方式截然不同。其市場(chǎng)價(jià)格相較于六氟化鎢高出近十倍。鉬材料的采用也伴隨著(zhù)成本的提升,
然而,而含鉬材料的市場(chǎng)則將迅速崛起。三星前瞻性地轉向鉬,將固態(tài)鉬原材料加熱至600℃以轉化為氣態(tài),向三星提供了鉬材料的樣品,這一轉變不僅有望實(shí)現層高30%至40%的進(jìn)一步縮減,巧妙地在金屬化工藝環(huán)節引入了鉬(Mo)作為替代材料,Merck等公司也積極響應,
鉬材料正成為眾多企業(yè)競相追逐的新寵。鉬材料的引入并非易事,面對鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限,
此外,
相關(guān)文章: