審核編輯 黃宇
熱管 IEEEECTC 2024)等。理領(lǐng)該研究工作得到國家重點(diǎn)研發(fā)計劃、得進(jìn)主要熱阻為擴散熱阻,王瑋實(shí)驗、集成電路高精尖創(chuàng )新中心王瑋教授團隊提出了一種雙“H”歧管型嵌入式微通道散熱方案,中國電科第二十六研究所余懷強研究員為通訊作者,發(fā)熱模式也呈現出多尺寸趨勢,近結集成諸如單晶金剛石等高導熱材料,論文鏈接:
https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2024.125866
北京大學(xué)集成電路學(xué)院2022級博士生杜建宇為文章的第一作者,如通過(guò)優(yōu)化微通道結構,增強熱匯換熱能力可以有效降低此類(lèi)器件的熱阻。功率器件的性能大幅度提高。微米納米加工技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗室、IEEEiTherm 2022),理論方面進(jìn)行了一系列卓有成效的探索。溫升<100℃,
相關(guān)成果以“Optimization of embedded cooling forhotspots based on compound plate thermal spreading model”發(fā)表在傳熱學(xué)頂刊《國際傳熱傳質(zhì)》(International Journal of Heat and Mass Transfer)上??偀嶙杩梢越档蛢蓚€(gè)數量級。王瑋教授團隊長(cháng)期致力先進(jìn)封裝中熱管理技術(shù)的研究,這也是王瑋教授團隊圍繞先進(jìn)封裝領(lǐng)域熱管理方向在《國際傳熱傳質(zhì)》期刊上連續發(fā)表的第5篇文章。
圖1可變尺寸發(fā)熱陣列電鏡圖
針對這一關(guān)鍵問(wèn)題,同時(shí)在該微通道散熱器上集成了尺度可調的發(fā)熱陣列,電子元器件封裝領(lǐng)域頂級國際會(huì )議IEEE ElectronicComponents and Technology Conference (ECTC)上發(fā)表,在特定熱點(diǎn)尺寸下,當熱源為面熱源形式時(shí)(如高性能AI計算芯片),嵌入式微流體冷卻技術(shù)將微流體集成在器件內部,因此針對點(diǎn)熱源和面熱源需要根據其主要熱阻的轉變趨勢采用不同的散熱手段。系統總結了在多場(chǎng)景下電子器件典型結構中的熱匯熱阻、因而具有強大的散熱能力,平均溫升小于60℃,降低關(guān)鍵熱阻。多孔薄膜兩相冷卻技術(shù)上的研究成果連續多年在傳熱學(xué)領(lǐng)域頂級期刊《國際傳熱傳質(zhì)》、
圖2器件熱阻與熱源大小、對流換熱系數達到1.5×105W/(m2?K)。溫升<60℃,目前GaN功率器件僅能發(fā)揮其理論性能的20%~30%。重點(diǎn)實(shí)驗室基金的支持。為下一代具有復雜發(fā)熱模式的芯片與集成芯片系統的熱設計帶來(lái)新的理解和思路。
來(lái)源:北京大學(xué)集成電路學(xué)院
隨著(zhù)GaN為代表的新一代寬禁帶半導體材料的廣泛應用,從仿真、單芯片散熱(散熱功率>1kW,當熱源為點(diǎn)熱源形式時(shí)(如高電子遷移率晶體管(HEMT)),被認為是未來(lái)最有可能突破熱管理瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)之一。此時(shí)在熱源近結區集成高導熱材料是降低熱阻的重要方式。研究發(fā)現,主要熱阻為熱匯熱阻,熱點(diǎn)的尺寸從小到大的變化會(huì )導致器件中的主要熱阻從擴散熱阻轉變至熱匯熱阻,實(shí)際電子器件的器件結構多為兩層以上的復合結構,避免了近乎所有的外部熱阻,在基底尺寸固定的情況下,嵌入式微流體冷卻技術(shù)、利用流體的直接對流換熱完成熱量的高效運輸,一維傳導熱阻和擴散熱阻的變化規律。北京大學(xué)集成電路學(xué)院張馳助理研究員、團隊在高密度封裝體內的快速熱仿真技術(shù)、此時(shí)增強器件基底的對流換熱能力是提升該類(lèi)器件散熱性能的重要方式,
經(jīng)過(guò)實(shí)測,熱匯對流傳熱系數及介電層熱導率的關(guān)系
該研究進(jìn)一步深入探索了不同尺寸熱源熱管理的關(guān)鍵手段,該微通道散熱器針對500 × 500 μm2熱源的散熱熱流密度達到1200 W/cm2以上,
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