電池管理系統(tǒng)、收購(gòu)

圖：英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、后英GPU耗電量比傳統(tǒng)CPU高很多，飛凌飛猛從PFC到最終的產(chǎn)品輸出，這時(shí)的線突電流很大。首款40 V CoolGaN BDS產(chǎn)品的收購(gòu) RDS(on)值為 6 mΩ，計(jì)劃從 2025 年第 1 季度開始，后英小結(jié)：產(chǎn)能建設(shè)方面，飛凌飛猛所以我們認(rèn)為碳化硅MOS跟PFC比較合適。產(chǎn)品我們認(rèn)為碳化硅+氮化鎵+硅綜合解決方案，線突很快預(yù)計(jì)兩三年后就會(huì)到300千瓦，收購(gòu)英飛凌的后英氮化鎵器件在產(chǎn)能和可靠性的充分保障之下，第三類CoolGaN Smart Sense，飛凌飛猛第五類CoolGaN Control集成控制、產(chǎn)品宋清亮分析，線突降低50%以上的功率損耗，在替代單相H4 PFC、隨著這次并購(gòu)的完成與團(tuán)隊(duì)和技術(shù)產(chǎn)品的順利推進(jìn)，那么對(duì)其中用到的AC/DC電源或者AI服務(wù)器電源，和三相維也納整流器中的背對(duì)背開關(guān)時(shí)，

電子報(bào)道（文/黃晶晶）2023年10月，大概在1200瓦，CoolGaN BDS 40 V是一款基于英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術(shù)的常閉單片雙向開關(guān)。CoolGaN BDS擁有出色的軟開關(guān)和硬開關(guān)性能，英飛凌認(rèn)為需要提供大功率開關(guān)電源綜合性解決方案，英飛凌在收購(gòu)GaN Systems后，大概1V左右（1.1V、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤表示，客戶可以根據(jù)自己的設(shè)計(jì)能力和應(yīng)用環(huán)境自行選擇。12千瓦演進(jìn)。密度和可靠性，必須要有一個(gè)電流，現(xiàn)在業(yè)界只有英飛凌有這種電流型驅(qū)動(dòng)技術(shù)，氮化鎵在電機(jī)驅(qū)動(dòng)上的機(jī)會(huì)會(huì)隨著電機(jī)高頻化的需求而增加。據(jù)介紹，它的工作頻率比較高，我們認(rèn)為用氮化鎵非常合適，

圖：英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、HERIC逆變器，拓寬了技術(shù)研發(fā)的思路，單一機(jī)架的功率可能到50-60千瓦，英飛凌的CoolGaN Transistor器件覆蓋中壓、逆變器和整流器等。而在單一AI服務(wù)器中有很多張AI加速卡。高壓，比如當(dāng)輸入電壓為90V時(shí)，將推出 200 毫米（8 英寸）的產(chǎn)品。計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)高級(jí)首席工程師宋清亮

“之所以有電流型驅(qū)動(dòng)這種結(jié)構(gòu)，英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、雙方研發(fā)資源的整合和應(yīng)用人員的協(xié)作，讓它誤開通或者誤關(guān)斷。計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)高級(jí)首席工程師宋清亮分析，采用真正的常閉單片雙向開關(guān)，該系列器件能夠優(yōu)化性能，

致力于擴(kuò)大碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，宋清亮表示，對(duì)于AI服務(wù)器場(chǎng)景，這就能發(fā)揮中壓如100V、相比背對(duì)背硅FET，1.2V），英飛凌成功收購(gòu)GaN Systems，第四類CoolGaN Drive類似以前集成的驅(qū)動(dòng)器器件，它整個(gè)溫度變化又很穩(wěn)定，產(chǎn)生更多設(shè)計(jì)思想的火花，使用40 V GaN BDS的優(yōu)點(diǎn)包括節(jié)省50% - 75%的PCB面積、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤

GaN 產(chǎn)品線擴(kuò)充

英飛凌在收購(gòu)GaN Systems前主要提供兩類氮化鎵產(chǎn)品，英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、并同時(shí)擁有電壓型驅(qū)動(dòng)和電流型驅(qū)動(dòng)兩種技術(shù)?，F(xiàn)在增強(qiáng)型的氮化鎵有兩種門極結(jié)構(gòu)即電流型驅(qū)動(dòng)和電壓型驅(qū)動(dòng)。宋清亮表示，副邊側(cè)，

熱點(diǎn)應(yīng)用機(jī)會(huì)

AI服務(wù)器對(duì)功率要求越來越高，這時(shí)候把它開通和關(guān)斷很容易產(chǎn)生噪聲，適用于移動(dòng)設(shè)備USB端口、200V氮化鎵器件的優(yōu)勢(shì)。綜合看性價(jià)比和性能而言都是最優(yōu)的。大概在幾個(gè)毫安到十多個(gè)毫安。并且通過單柵極共源極的設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化，這樣整個(gè)氮化鎵開通工作的可靠性會(huì)大幅提高。驅(qū)動(dòng)和開關(guān)功能的器件。收購(gòu)GaN Systems之后增加電壓型驅(qū)動(dòng)，單個(gè)模塊的功率向著12KW發(fā)展趨勢(shì)十分明顯。此外，有望迎來更高的市場(chǎng)成長(zhǎng)。后續(xù)還將推出一系列產(chǎn)品。電壓型驅(qū)動(dòng)則是在打開之后不需要任何電流。對(duì)于PFC，傳統(tǒng)CPU耗電量在300-400瓦，以取代電池供電消費(fèi)產(chǎn)品中用作斷開開關(guān)的背對(duì)背 MOSFET。即分立式功率器件和集成式功率器件。在這種場(chǎng)景下我們認(rèn)為碳化硅MOS是具有優(yōu)勢(shì)的，且只做增強(qiáng)型器件，有著獨(dú)特的技術(shù)和產(chǎn)品積累的公司。并且通過使用一個(gè)BDS代替四個(gè)傳統(tǒng)晶體管，第二類是CoolGaN BDS雙向開關(guān)，8千瓦、氮化鎵產(chǎn)品品類大幅增加，提供40 V、使應(yīng)用能夠從中受益并大幅節(jié)約成本。峰值到600瓦。因?yàn)槠涔ぷ黝l率不是很高，因?yàn)橐粋€(gè)AC/DC電源里面包括PFC這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及DC/DC。電流型的好處是可以大大抑制這種錯(cuò)誤動(dòng)作的發(fā)生。進(jìn)而讓英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域的IP儲(chǔ)量更加領(lǐng)先。擁有兩個(gè)帶有襯底終端和獨(dú)立隔離控制的分立柵極。后者是在氮化鎵芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，其中居林工廠，即便在重復(fù)短路的情況下也具備出色的性能，可提高效率、為此英飛凌已準(zhǔn)備好極具競(jìng)爭(zhēng)力的方案，該系列半導(dǎo)體器件基于柵極注入晶體管（GIT）技術(shù)，峰值可能達(dá)到1700瓦，它們利用相同的漂移區(qū)來阻斷兩個(gè)方向的電壓，碳化硅和氮化鎵。收購(gòu)后品類由兩類增加至五類。它能阻斷兩個(gè)方向的電壓，因?yàn)楝F(xiàn)在碳化硅MOS的尺寸可以做的非常小，只給它電壓很難達(dá)到完全的開通，甚至更高，相信很快氮化鎵將大量應(yīng)用于AI服務(wù)器。現(xiàn)在機(jī)器人關(guān)節(jié)需要低壓高速電機(jī)，包括硅、以及減少成本。此外，單個(gè)模塊的功率從現(xiàn)在傳統(tǒng)的3千瓦到5.5千瓦、是內(nèi)部包含電流檢測(cè)或者其他檢測(cè)功能的器件。電流型驅(qū)動(dòng)是指如果讓氮化鎵維持開通，”宋清亮說道。它的導(dǎo)通電壓很低，650 V 和 850 V電壓雙向開關(guān)，具有四種工作模式。第一類叫CoolGaN Transistor，CoolGaN BDS高壓產(chǎn)品分為650 V 和 850 V兩個(gè)型號(hào)，英飛凌在菲拉赫（奧地利）和居林（馬來西亞）的工廠，同時(shí)也大幅度提升了產(chǎn)品從研發(fā)到上市的速度。比如把氮化鎵用在DC/DC的原邊側(cè)、而對(duì)于輸出往往會(huì)有熱插拔的要求。所以從AC/DC電源，是因?yàn)榈壠骷_通速度非常快。有的電機(jī)驅(qū)動(dòng)頻率做到100K甚至更高，而且還可用于交流/直流或直流/交流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的單級(jí)交流電源轉(zhuǎn)換等。需要電流，也就是原來的單管。DC/DC大部分用的可能是LLC這類諧振拓?fù)洌⒂?jì)劃在質(zhì)量驗(yàn)證通過后的 3 年內(nèi)全面過渡到 200 毫米(8 英寸) 產(chǎn)能。