在半導體技術(shù)日新月異的海力今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，士攜手臺宣布將采用臺積電先進(jìn)的積電N5工藝版基礎裸片來(lái)構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著(zhù)SK海力士在高性能存儲解決方案領(lǐng)域的藝打持續深耕，也預示著(zhù)HBM內存技術(shù)即將邁入一個(gè)全新的造高發(fā)展階段。

據最新消息，海力新一代HBM內存——HBM4的士攜手臺JEDEC標準正緊鑼密鼓地定案中，預示著(zhù)這一技術(shù)的積電標準化與商業(yè)化進(jìn)程正加速推進(jìn)。而SK海力士作為業(yè)界的藝打佼佼者，其首批HBM4產(chǎn)品（12層堆疊版）已明確時(shí)間表，造高預計將于2025年下半年正式面世。海力這一產(chǎn)品的士攜手臺推出，無(wú)疑將極大滿(mǎn)足市場(chǎng)對于更高帶寬、積電更低延遲存儲解決方案的藝打迫切需求。

SK海力士與臺積電的造高合作，可追溯至今年4月雙方簽署的合作諒解備忘錄。該備忘錄明確了雙方在HBM內存基礎裸片領(lǐng)域的深度合作意向，旨在通過(guò)技術(shù)共享與優(yōu)勢互補，共同推動(dòng)HBM內存技術(shù)的革新與發(fā)展。此次SK海力士選擇臺積電的N5工藝版基礎裸片來(lái)構建HBM4內存，正是這一合作戰略的具體體現。

臺積電在2024年技術(shù)研討會(huì )歐洲場(chǎng)上透露的信息，進(jìn)一步彰顯了其在HBM4內存領(lǐng)域的深厚積累與前瞻布局。據介紹，臺積電為HBM4內存準備了兩款基礎裸片：一款是面向價(jià)格敏感性產(chǎn)品的N12FFC+版，另一款則是面向高性能應用的N5版。其中，N5版基礎裸片憑借其卓越的性能指標脫穎而出——其面積僅為N12FFC+版的39%，卻在同功率下實(shí)現了邏輯電路頻率的顯著(zhù)提升，高達N12FFC+版的155%；同時(shí)，在保持相同頻率的條件下，其功耗更是降低至僅有N12FFC+版的35%。這一系列數據無(wú)疑彰顯了N5工藝在提升HBM4內存性能與能效方面的巨大潛力。

SK海力士選擇臺積電的N5工藝版基礎裸片來(lái)構建HBM4內存，不僅是對臺積電技術(shù)實(shí)力的認可，更是對自身產(chǎn)品競爭力提升的一次重要布局。通過(guò)這一合作，SK海力士將能夠為客戶(hù)提供更加高效、可靠的HBM4內存解決方案，進(jìn)一步鞏固其在高性能存儲市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。展望未來(lái)，隨著(zhù)HBM4標準的正式確立與產(chǎn)品的逐步落地，我們有理由相信SK海力士與臺積電的合作將為整個(gè)半導體行業(yè)帶來(lái)更多的驚喜與可能。